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Calculadora Voltaje de umbral cuando la fuente está en el potencial del cuerpo

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Optimización de materiales VLSI Diseño VLSI analógico

✖El coeficiente DIBL en un dispositivo CMOS suele ser del orden de 0,1.ⓘ Coeficiente DIBL [η]			+10% -10%
✖Drenaje a fuente El potencial es el potencial entre el drenaje y la fuente.ⓘ Drenar a la fuente potencial [V_ds]			+10% -10%
✖El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente requerida para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.ⓘ Voltaje umbral [V_t]			+10% -10%

✖El voltaje umbral dibl se define como el voltaje mínimo requerido por la unión de la fuente del potencial corporal, cuando la fuente está al potencial corporal.ⓘ Voltaje de umbral cuando la fuente está en el potencial del cuerpo [V_t0]

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Voltaje de umbral cuando la fuente está en el potencial del cuerpo Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Tensión umbral DIBL = Coeficiente DIBL*Drenar a la fuente potencial+Voltaje umbral
V_t0 = η*V_ds+V_t
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Tensión umbral DIBL - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral dibl se define como el voltaje mínimo requerido por la unión de la fuente del potencial corporal, cuando la fuente está al potencial corporal.
Coeficiente DIBL - El coeficiente DIBL en un dispositivo CMOS suele ser del orden de 0,1.
Drenar a la fuente potencial - (Medido en Voltio) - Drenaje a fuente El potencial es el potencial entre el drenaje y la fuente.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente requerida para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Coeficiente DIBL: 0.2 --> No se requiere conversión
Drenar a la fuente potencial: 1.45 Voltio --> 1.45 Voltio No se requiere conversión
Voltaje umbral: 0.3 Voltio --> 0.3 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_t0 = η*V_ds+V_t --> 0.2*1.45+0.3

Evaluar ... ...

V_t0 = 0.59

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.59 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.59 Voltio <-- Tensión umbral DIBL

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Coeficiente de efecto corporal

LaTeX Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial

Carga de canal

LaTeX Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje crítico

LaTeX Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal

Voltaje de umbral cuando la fuente está en el potencial del cuerpo Fórmula

LaTeX Vamos

Tensión umbral DIBL = Coeficiente DIBL*Drenar a la fuente potencial+Voltaje umbral
V_t0 = η*V_ds+V_t

¿Qué es la reducción de la barrera inducida por drenaje (DIBL)?

El voltaje de drenaje Vds crea un campo eléctrico que afecta el voltaje de umbral. Este efecto de reducción de barrera inducida por drenaje (DIBL) es especialmente pronunciado en transistores de canal corto. La reducción de la barrera inducida por drenaje hace que Ids aumente con Vds en saturación, de la misma manera que lo hace la modulación de longitud de canal. Nuevamente, esto es una pesadilla para el diseño analógico pero insignificante para la mayoría de los circuitos digitales. Más significativamente, DIBL aumenta la fuga por debajo del umbral a Vds alto.

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