Calculadora MCM

Calculadora Voltaje de umbral

Ingenieria Financiero Física Mates Más >>

↳

Electrónica Ciencia de los Materiales Civil Eléctrico Más >>

⤿

Fabricación de VLSI Amplificadores Antena y propagación de ondas Circuitos integrados (CI)Más >>

⤿

Optimización de materiales VLSI Diseño VLSI analógico

✖El voltaje de puerta a canal se define como la resistencia en estado encendido de la fuente de drenaje es mayor que el valor nominal cuando el voltaje de puerta está alrededor del voltaje umbral.ⓘ Voltaje de puerta a canal [V_gc]			+10% -10%
✖La carga del canal se define como la fuerza que experimenta una materia cuando se coloca en un campo electromagnético.ⓘ Cargo del canal [Q_ch]			+10% -10%
✖La capacitancia de puerta es la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.ⓘ Capacitancia de puerta [C_g]			+10% -10%

✖El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente requerida para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.ⓘ Voltaje de umbral [V_t]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Electrónica Fórmula PDF PDF Image

Voltaje de umbral Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje umbral = Voltaje de puerta a canal-(Cargo del canal/Capacitancia de puerta)
V_t = V_gc-(Q_ch/C_g)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente requerida para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.
Voltaje de puerta a canal - (Medido en Voltio) - El voltaje de puerta a canal se define como la resistencia en estado encendido de la fuente de drenaje es mayor que el valor nominal cuando el voltaje de puerta está alrededor del voltaje umbral.
Cargo del canal - (Medido en Culombio) - La carga del canal se define como la fuerza que experimenta una materia cuando se coloca en un campo electromagnético.
Capacitancia de puerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia de puerta es la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje de puerta a canal: 7.011 Voltio --> 7.011 Voltio No se requiere conversión
Cargo del canal: 0.4 miliculombio --> 0.0004 Culombio (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de puerta: 59.61 Microfaradio --> 5.961E-05 Faradio (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_t = V_gc-(Q_ch/C_g) --> 7.011-(0.0004/5.961E-05)

Evaluar ... ...

V_t = 0.300716490521724

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.300716490521724 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.300716490521724 ≈ 0.300716 Voltio <-- Voltaje umbral

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » Fabricación de VLSI » Optimización de materiales VLSI » Voltaje de umbral

Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< Optimización de materiales VLSI Calculadoras

Coeficiente de efecto corporal

LaTeX Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial

Carga de canal

LaTeX Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje crítico

LaTeX Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal

Voltaje de umbral Fórmula

LaTeX Vamos

Voltaje umbral = Voltaje de puerta a canal-(Cargo del canal/Capacitancia de puerta)
V_t = V_gc-(Q_ch/C_g)

¿Qué es el modelo de canal largo?

El modelo de canal largo se refiere a una aproximación utilizada para analizar y diseñar dispositivos electrónicos con longitudes de canal relativamente grandes, generalmente en el rango micrométrico. Este modelo simplifica el comportamiento del dispositivo al ignorar los efectos de canal corto, lo que lo hace adecuado para el diseño inicial y la comprensión de las características básicas de los transistores en circuitos VLSI.

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!