Calculadora Voltaje térmico de CMOS

✖El potencial incorporado es el potencial dentro del MOSFET.ⓘ Potencial incorporado [ψ_o]			+10% -10%
✖La concentración de aceptor es la concentración de huecos en el estado de aceptor.ⓘ Concentración de aceptor [N_a]			+10% -10%
✖La concentración del donante es la concentración de electrones en el estado donante.ⓘ Concentración de donantes [N_d]			+10% -10%
✖La concentración intrínseca de electrones se define como el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.ⓘ Concentración intrínseca de electrones [n_i]			+10% -10%

✖El voltaje térmico es el voltaje producido dentro de la unión pn.ⓘ Voltaje térmico de CMOS [V_t]

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Fórmula

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Voltaje térmico de CMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje térmico = Potencial incorporado/ln((Concentración de aceptor*Concentración de donantes)/(Concentración intrínseca de electrones^2))
V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables

Funciones utilizadas

ln - El logaritmo natural, también conocido como logaritmo en base e, es la función inversa de la función exponencial natural., ln(Number)

Variables utilizadas

Voltaje térmico - (Medido en Voltio) - El voltaje térmico es el voltaje producido dentro de la unión pn.
Potencial incorporado - (Medido en Voltio) - El potencial incorporado es el potencial dentro del MOSFET.
Concentración de aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de aceptor es la concentración de huecos en el estado de aceptor.
Concentración de donantes - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del donante es la concentración de electrones en el estado donante.
Concentración intrínseca de electrones - La concentración intrínseca de electrones se define como el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Potencial incorporado: 18.8 Voltio --> 18.8 Voltio No se requiere conversión
Concentración de aceptor: 1100 1 por metro cúbico --> 1100 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración de donantes: 190000000000000 1 por metro cúbico --> 190000000000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración intrínseca de electrones: 17 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2)) --> 18.8/ln((1100*190000000000000)/(17^2))

Evaluar ... ...

V_t = 0.549471683639064

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.549471683639064 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.549471683639064 ≈ 0.549472 Voltio <-- Voltaje térmico

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Potencial incorporado

LaTeX Vamos Potencial incorporado = Voltaje térmico*ln((Concentración de aceptor*Concentración de donantes)/(Concentración intrínseca de electrones^2))

Capacitancia Onpath

LaTeX Vamos Trayectoria de capacitancia = Capacitancia total en etapa-Capacitancia fuera de ruta

Cambio en el reloj de frecuencia

LaTeX Vamos Cambio en la frecuencia del reloj = Ganancia VCO*Voltaje de control VCO

Corriente estática

LaTeX Vamos Corriente estática = Energía estática/Voltaje base del colector

Voltaje térmico de CMOS Fórmula

LaTeX Vamos

Voltaje térmico = Potencial incorporado/ln((Concentración de aceptor*Concentración de donantes)/(Concentración intrínseca de electrones^2))
V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2))

¿Qué es conducir?

"Drive" en la electrónica digital se refiere a la capacidad de una puerta o circuito lógico para entregar corriente a su salida, lo que influye en la rapidez con la que el voltaje de salida cambia entre los niveles lógicos y juega un papel vital en la determinación del rendimiento general de los sistemas digitales.

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