Calculadora Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria

✖La densidad de portadores intrínsecos es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.ⓘ Densidad de portador intrínseco [n_i]			+10% -10%
✖La concentración de dopaje de la base es el número de impurezas añadidas a la base.ⓘ Dopaje Concentración de Base [N_B]			+10% -10%

✖La concentración de equilibrio térmico se define como la concentración de portadores en un amplificador.ⓘ Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria [n_po]

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Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Concentración de equilibrio térmico = ((Densidad de portador intrínseco)^2)/Dopaje Concentración de Base
n_po = ((n_i)^2)/N_B
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Concentración de equilibrio térmico - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de equilibrio térmico se define como la concentración de portadores en un amplificador.
Densidad de portador intrínseco - (Medido en 1 por metro cúbico) - La densidad de portadores intrínsecos es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.
Dopaje Concentración de Base - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de dopaje de la base es el número de impurezas añadidas a la base.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Densidad de portador intrínseco: 4500000000 1 por metro cúbico --> 4500000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Dopaje Concentración de Base: 19 1 por metro cúbico --> 19 1 por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

n_po = ((n_i)^2)/N_B --> ((4500000000)^2)/19

Evaluar ... ...

n_po = 1.06578947368421E+18

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.06578947368421E+18 1 por metro cúbico --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

1.06578947368421E+18 ≈ 1.1E+18 1 por metro cúbico <-- Concentración de equilibrio térmico

(Cálculo completado en 00.007 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Capacitancia de difusión de señal pequeña de BJT

LaTeX Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*(Colector de corriente/Voltaje de umbral)

Carga de electrones almacenados en la base de BJT

LaTeX Vamos Carga de electrones almacenada = Constante del dispositivo*Colector de corriente

Capacitancia de difusión de señal pequeña

LaTeX Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*Transconductancia

Capacitancia de unión base-emisor

LaTeX Vamos Capacitancia de unión base-emisor = 2*Capacitancia base-emisor

< Circuito BJT Calculadoras

Potencia total disipada en BJT

LaTeX Vamos Fuerza = Tensión colector-emisor*Colector de corriente+Voltaje base-emisor*corriente básica

Relación de rechazo de modo común

LaTeX Vamos Tasa de rechazo de modo común = 20*log10(Ganancia de modo diferencial/Ganancia de modo común)

Ganancia de corriente de base común

LaTeX Vamos Ganancia de corriente de base común = Ganancia de corriente de emisor común/(Ganancia de corriente de emisor común+1)

Ganancia intrínseca de BJT

LaTeX Vamos Ganancia intrínseca = Voltaje temprano/Voltaje Térmico

Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria Fórmula

LaTeX Vamos

Concentración de equilibrio térmico = ((Densidad de portador intrínseco)^2)/Dopaje Concentración de Base
n_po = ((n_i)^2)/N_B

¿Qué es la concentración de portadores en equilibrio térmico?

El número de portadores en la banda de conducción y de valencia sin polarización aplicada externamente se denomina concentración de portadores de equilibrio. Para los portadores mayoritarios, la concentración de portadores de equilibrio es igual a la concentración de portadores intrínseca más el número de portadores libres añadidos dopando el semiconductor.

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