Potencial de superficie Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Potencial de superficie = 2*Diferencia de potencial del cuerpo fuente*ln(Concentración de aceptor/Concentración intrínseca)
Φs = 2*Vsb*ln(NA/Ni)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 4 Variables
Funciones utilizadas
ln - El logaritmo natural, también conocido como logaritmo en base e, es la función inversa de la función exponencial natural., ln(Number)
Variables utilizadas
Potencial de superficie - (Medido en Voltio) - El potencial de superficie es un parámetro clave en la evaluación de la propiedad de CC de los transistores de película delgada.
Diferencia de potencial del cuerpo fuente - (Medido en Voltio) - La diferencia de potencial del cuerpo fuente se calcula cuando un potencial aplicado externamente es igual a la suma de la caída de voltaje a través de la capa de óxido y la caída de voltaje a través del semiconductor.
Concentración de aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.
Concentración intrínseca - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración intrínseca se refiere a la concentración de portadores de carga (electrones y huecos) en un semiconductor intrínseco en equilibrio térmico.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Diferencia de potencial del cuerpo fuente: 1.36 Voltio --> 1.36 Voltio No se requiere conversión
Concentración de aceptor: 1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico (Verifique la conversión ​aquí)
Concentración intrínseca: 14500000000 1 por centímetro cúbico --> 1.45E+16 1 por metro cúbico (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Φs = 2*Vsb*ln(NA/Ni) --> 2*1.36*ln(1E+22/1.45E+16)
Evaluar ... ...
Φs = 36.5675358441665
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
36.5675358441665 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
36.5675358441665 36.56754 Voltio <-- Potencial de superficie
(Cálculo completado en 00.021 segundos)

Créditos

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Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Optimización de materiales VLSI Calculadoras

Coeficiente de efecto corporal
​ LaTeX ​ Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))
Coeficiente DIBL
​ LaTeX ​ Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial
Carga de canal
​ LaTeX ​ Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)
Voltaje crítico
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal

Potencial de superficie Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Potencial de superficie = 2*Diferencia de potencial del cuerpo fuente*ln(Concentración de aceptor/Concentración intrínseca)
Φs = 2*Vsb*ln(NA/Ni)

¿Por qué calculamos el potencial superficial?

El potencial superficial se calcula para determinar el nivel de voltaje en la superficie del semiconductor. Ayuda a evaluar el rendimiento del dispositivo, el voltaje umbral y el consumo de energía en transistores CMOS, lo que ayuda en el diseño y optimización de circuitos.

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