MCM de dos números

Calculadora Pendiente subumbral

Ingenieria Financiero Física Mates Más >>

↳

Electrónica Ciencia de los Materiales Civil Eléctrico Más >>

⤿

Fabricación de VLSI Amplificadores Antena y propagación de ondas Circuitos integrados (CI)Más >>

⤿

Optimización de materiales VLSI Diseño VLSI analógico

✖La diferencia de potencial del cuerpo fuente se calcula cuando un potencial aplicado externamente es igual a la suma de la caída de voltaje a través de la capa de óxido y la caída de voltaje a través del semiconductor.ⓘ Diferencia de potencial del cuerpo fuente [V_sb]			+10% -10%
✖El coeficiente DIBL en un dispositivo CMOS suele ser del orden de 0,1.ⓘ Coeficiente DIBL [η]			+10% -10%

✖La pendiente subumbral es una característica de la característica de corriente-voltaje de un MOSFET.ⓘ Pendiente subumbral [S]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Electrónica Fórmula PDF PDF Image

Pendiente subumbral Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Pendiente subumbral = Diferencia de potencial del cuerpo fuente*Coeficiente DIBL*ln(10)
S = V_sb*η*ln(10)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 3 Variables

Funciones utilizadas

ln - El logaritmo natural, también conocido como logaritmo en base e, es la función inversa de la función exponencial natural., ln(Number)

Variables utilizadas

Pendiente subumbral - La pendiente subumbral es una característica de la característica de corriente-voltaje de un MOSFET.
Diferencia de potencial del cuerpo fuente - (Medido en Voltio) - La diferencia de potencial del cuerpo fuente se calcula cuando un potencial aplicado externamente es igual a la suma de la caída de voltaje a través de la capa de óxido y la caída de voltaje a través del semiconductor.
Coeficiente DIBL - El coeficiente DIBL en un dispositivo CMOS suele ser del orden de 0,1.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Diferencia de potencial del cuerpo fuente: 1.36 Voltio --> 1.36 Voltio No se requiere conversión
Coeficiente DIBL: 0.2 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

S = V_sb*η*ln(10) --> 1.36*0.2*ln(10)

Evaluar ... ...

S = 0.626303145294381

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.626303145294381 --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.626303145294381 ≈ 0.626303 <-- Pendiente subumbral

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » Fabricación de VLSI » Optimización de materiales VLSI » Pendiente subumbral

Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< Optimización de materiales VLSI Calculadoras

Coeficiente de efecto corporal

LaTeX Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial

Carga de canal

LaTeX Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje crítico

LaTeX Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal

Pendiente subumbral Fórmula

LaTeX Vamos

Pendiente subumbral = Diferencia de potencial del cuerpo fuente*Coeficiente DIBL*ln(10)
S = V_sb*η*ln(10)

¿Qué indica la pendiente del subumbral?

La pendiente del subumbral indica cuánto debe caer el voltaje de la puerta para disminuir la corriente de fuga en un orden de magnitud. Un valor típico es 100 mV/década a temperatura ambiente.

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!