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La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.
ⓘ
Concentración de dopaje del aceptor [N
A
]
Electrones por centímetro cúbico
Electrones por metro cúbico
+10%
-10%
✖
La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.
ⓘ
Capacitancia de óxido [C
ox
]
Faradio
Femtofaradio
kilofaradio
Microfaradio
milifaradio
Nanofaradio
Picofaradio
+10%
-10%
✖
El coeficiente de polarización del sustrato es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos de transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET).
ⓘ
Coeficiente de polarización del sustrato [γ
s
]
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Pasos
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Fórmula
✖
Coeficiente de polarización del sustrato
Fórmula
γ
s
=
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
N
A
C
ox
Ejemplo
5.7E-7
=
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
1.32 electrons/cm³
3.9 F
Calculadora
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Descargar MOSFET Fórmula PDF
Coeficiente de polarización del sustrato Solución
PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Coeficiente de polarización del sustrato
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentración de dopaje del aceptor
)/
Capacitancia de óxido
γ
s
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
)/
C
ox
Esta fórmula usa
2
Constantes
,
1
Funciones
,
3
Variables
Constantes utilizadas
[Permitivity-silicon]
- Permitividad del silicio Valor tomado como 11.7
[Charge-e]
- carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
Funciones utilizadas
sqrt
- Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
Coeficiente de polarización del sustrato
- El coeficiente de polarización del sustrato es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos de transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET).
Concentración de dopaje del aceptor
-
(Medido en Electrones por metro cúbico)
- La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.
Capacitancia de óxido
-
(Medido en Faradio)
- La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Concentración de dopaje del aceptor:
1.32 Electrones por centímetro cúbico --> 1320000 Electrones por metro cúbico
(Verifique la conversión
aquí
)
Capacitancia de óxido:
3.9 Faradio --> 3.9 Faradio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
γ
s
= sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N
A
)/C
ox
-->
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*1320000)/3.9
Evaluar ... ...
γ
s
= 5.70407834987726E-07
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
5.70407834987726E-07 --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
5.70407834987726E-07
≈
5.7E-7
<--
Coeficiente de polarización del sustrato
(Cálculo completado en 00.004 segundos)
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Creado por
banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
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Verificada por
Dipanjona Mallick
Instituto Tecnológico del Patrimonio
(hitk)
,
Calcuta
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Transistor MOS Calculadoras
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
Vamos
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
= -(2*
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
)/(
Voltaje final
-
Voltaje inicial
)*(
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
-
Voltaje final
)-
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
-
Voltaje inicial
)))
Potencial de Fermi para el tipo P
Vamos
Potencial de Fermi para el tipo P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentración de portador intrínseco
/
Concentración de dopaje del aceptor
)
Capacitancia equivalente de unión de señal grande
Vamos
Capacitancia equivalente de unión de señal grande
=
Perímetro de la pared lateral
*
Capacitancia de unión de pared lateral
*
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud
Vamos
Capacitancia de unión de pared lateral
=
Potencial de unión de pared lateral de polarización cero
*
Profundidad de la pared lateral
Ver más >>
Coeficiente de polarización del sustrato Fórmula
Coeficiente de polarización del sustrato
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentración de dopaje del aceptor
)/
Capacitancia de óxido
γ
s
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
)/
C
ox
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