Coeficiente de polarización del sustrato Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Coeficiente de polarización del sustrato = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentración de dopaje del aceptor)/Capacitancia de óxido
γs = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*NA)/Cox
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 3 Variables
Constantes utilizadas
[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio Valor tomado como 11.7
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
Funciones utilizadas
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
Coeficiente de polarización del sustrato - El coeficiente de polarización del sustrato es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos de transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET).
Concentración de dopaje del aceptor - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Concentración de dopaje del aceptor: 1.32 Electrones por centímetro cúbico --> 1320000 Electrones por metro cúbico (Verifique la conversión ​aquí)
Capacitancia de óxido: 3.9 Faradio --> 3.9 Faradio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
γs = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*NA)/Cox --> sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000)/3.9
Evaluar ... ...
γs = 5.70407834987726E-07
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
5.70407834987726E-07 --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
5.70407834987726E-07 5.7E-7 <-- Coeficiente de polarización del sustrato
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
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Verificada por Dipanjona Mallick
Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta
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Transistor MOS Calculadoras

Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
​ Vamos Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral = -(2*sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales)/(Voltaje final-Voltaje inicial)*(sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales-Voltaje final)-sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales-Voltaje inicial)))
Potencial de Fermi para el tipo P
​ Vamos Potencial de Fermi para el tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentración de portador intrínseco/Concentración de dopaje del aceptor)
Capacitancia equivalente de unión de señal grande
​ Vamos Capacitancia equivalente de unión de señal grande = Perímetro de la pared lateral*Capacitancia de unión de pared lateral*Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud
​ Vamos Capacitancia de unión de pared lateral = Potencial de unión de pared lateral de polarización cero*Profundidad de la pared lateral

Coeficiente de polarización del sustrato Fórmula

Coeficiente de polarización del sustrato = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentración de dopaje del aceptor)/Capacitancia de óxido
γs = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*NA)/Cox
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