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El potencial incorporado de las uniones de paredes laterales se refiere a la unión formada a lo largo de las superficies verticales o de las paredes laterales de la estructura del transistor.
ⓘ
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales [Φ
osw
]
Kilovoltio
Megavoltio
Microvoltio
milivoltio
nanovoltios
Voltaje de Planck
Voltio
+10%
-10%
✖
El voltaje final se refiere al nivel de voltaje alcanzado o medido al finalizar un proceso o evento en particular.
ⓘ
Voltaje final [V
2
]
Kilovoltio
Megavoltio
Microvoltio
milivoltio
nanovoltios
Voltaje de Planck
Voltio
+10%
-10%
✖
El voltaje inicial se refiere al voltaje presente en un punto específico de un circuito al comienzo de una determinada operación o en condiciones específicas.
ⓘ
Voltaje inicial [V
1
]
Kilovoltio
Megavoltio
Microvoltio
milivoltio
nanovoltios
Voltaje de Planck
Voltio
+10%
-10%
✖
El factor de equivalencia de voltaje de pared lateral representa la relación entre el voltaje aplicado a un dispositivo semiconductor y el cambio resultante en la capacitancia de la unión de pared lateral por unidad de área.
ⓘ
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral [K
eq(sw)
]
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Descargar MOSFET Fórmula PDF
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral Solución
PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
= -(2*
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
)/(
Voltaje final
-
Voltaje inicial
)*(
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
-
Voltaje final
)-
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
-
Voltaje inicial
)))
K
eq(sw)
= -(2*
sqrt
(
Φ
osw
)/(
V
2
-
V
1
)*(
sqrt
(
Φ
osw
-
V
2
)-
sqrt
(
Φ
osw
-
V
1
)))
Esta fórmula usa
1
Funciones
,
4
Variables
Funciones utilizadas
sqrt
- Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
- El factor de equivalencia de voltaje de pared lateral representa la relación entre el voltaje aplicado a un dispositivo semiconductor y el cambio resultante en la capacitancia de la unión de pared lateral por unidad de área.
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
-
(Medido en Voltio)
- El potencial incorporado de las uniones de paredes laterales se refiere a la unión formada a lo largo de las superficies verticales o de las paredes laterales de la estructura del transistor.
Voltaje final
-
(Medido en Voltio)
- El voltaje final se refiere al nivel de voltaje alcanzado o medido al finalizar un proceso o evento en particular.
Voltaje inicial
-
(Medido en Voltio)
- El voltaje inicial se refiere al voltaje presente en un punto específico de un circuito al comienzo de una determinada operación o en condiciones específicas.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales:
3.2E-05 Voltio --> 3.2E-05 Voltio No se requiere conversión
Voltaje final:
6.135 nanovoltios --> 6.135E-09 Voltio
(Verifique la conversión
aquí
)
Voltaje inicial:
5.42 nanovoltios --> 5.42E-09 Voltio
(Verifique la conversión
aquí
)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
K
eq(sw)
= -(2*sqrt(Φ
osw
)/(V
2
-V
1
)*(sqrt(Φ
osw
-V
2
)-sqrt(Φ
osw
-V
1
))) -->
-(2*
sqrt
(3.2E-05)/(6.135E-09-5.42E-09)*(
sqrt
(3.2E-05-6.135E-09)-
sqrt
(3.2E-05-5.42E-09)))
Evaluar ... ...
K
eq(sw)
= 1.00009028568687
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
1.00009028568687 --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
1.00009028568687
≈
1.00009
<--
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
(Cálculo completado en 00.020 segundos)
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Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
Créditos
Creado por
banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verificada por
Dipanjona Mallick
Instituto Tecnológico del Patrimonio
(hitk)
,
Calcuta
¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
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Transistor MOS Calculadoras
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
LaTeX
Vamos
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
= -(2*
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
)/(
Voltaje final
-
Voltaje inicial
)*(
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
-
Voltaje final
)-
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
-
Voltaje inicial
)))
Potencial de Fermi para el tipo P
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Vamos
Potencial de Fermi para el tipo P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentración de portador intrínseco
/
Concentración de dopaje del aceptor
)
Capacitancia equivalente de unión de señal grande
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Vamos
Capacitancia equivalente de unión de señal grande
=
Perímetro de la pared lateral
*
Capacitancia de unión de pared lateral
*
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud
LaTeX
Vamos
Capacitancia de unión de pared lateral
=
Potencial de unión de pared lateral de polarización cero
*
Profundidad de la pared lateral
Ver más >>
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral Fórmula
LaTeX
Vamos
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
= -(2*
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
)/(
Voltaje final
-
Voltaje inicial
)*(
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
-
Voltaje final
)-
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
-
Voltaje inicial
)))
K
eq(sw)
= -(2*
sqrt
(
Φ
osw
)/(
V
2
-
V
1
)*(
sqrt
(
Φ
osw
-
V
2
)-
sqrt
(
Φ
osw
-
V
1
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