Calculadora Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión

✖El ancho de transición se define como el aumento del ancho cuando aumenta el voltaje drenaje-fuente, lo que da como resultado que la región del triodo pase a la región de saturación.ⓘ Ancho de transición [W]			+10% -10%
✖La longitud de la fuente se define como la longitud total observada en la unión de la fuente del MOSFET.ⓘ Longitud de la fuente [D_s]			+10% -10%

✖El perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral se define como el perímetro de difusión de la fuente sin incluir el borde debajo de la compuerta.ⓘ Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión [P_s]

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Fórmula

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Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión

Fórmula

P s = (2 \cdot W) + (2 \cdot D s)

Ejemplo

301.64 mm = (2 \cdot 89.82 mm) + (2 \cdot 61 mm)

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Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral = (2*Ancho de transición)+(2*Longitud de la fuente)
P_s = (2*W)+(2*D_s)
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral - (Medido en Metro) - El perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral se define como el perímetro de difusión de la fuente sin incluir el borde debajo de la compuerta.
Ancho de transición - (Medido en Metro) - El ancho de transición se define como el aumento del ancho cuando aumenta el voltaje drenaje-fuente, lo que da como resultado que la región del triodo pase a la región de saturación.
Longitud de la fuente - (Medido en Metro) - La longitud de la fuente se define como la longitud total observada en la unión de la fuente del MOSFET.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Ancho de transición: 89.82 Milímetro --> 0.08982 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud de la fuente: 61 Milímetro --> 0.061 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

P_s = (2*W)+(2*D_s) --> (2*0.08982)+(2*0.061)

Evaluar ... ...

P_s = 0.30164

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.30164 Metro -->301.64 Milímetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

301.64 Milímetro <-- Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Ancho de difusión de la fuente

Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente

Área de difusión de fuentes

Vamos Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición

CMOS significa ruta libre

Vamos Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico

Voltaje crítico CMOS

Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio

Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión Fórmula

Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral = (2*Ancho de transición)+(2*Longitud de la fuente)
P_s = (2*W)+(2*D_s)

¿Qué es el modelo de capacitancia de difusión MOS?

La unión p-n entre la fuente de difusión y el cuerpo contribuye con la capacitancia parásita en la región de agotamiento. La capacitancia depende tanto del área AS como del perímetro de la pared lateral PS de la región de difusión de la fuente. Debido a que el grosor de la región de agotamiento depende de las condiciones de polarización, estos parásitos no son lineales.

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