Corriente de cortocircuito de MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Corriente de salida = Transconductancia*Voltaje puerta-fuente
Iout = gm*Vgs
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Corriente de salida - (Medido en Amperio) - La corriente de salida es la corriente eléctrica que fluye desde un terminal de salida del dispositivo. Es la cantidad de carga eléctrica que pasa a través de la salida por unidad de tiempo.
Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.
Voltaje puerta-fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Transconductancia: 0.5 milisiemens --> 0.0005 Siemens (Verifique la conversión ​aquí)
Voltaje puerta-fuente: 4 Voltio --> 4 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Iout = gm*Vgs --> 0.0005*4
Evaluar ... ...
Iout = 0.002
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.002 Amperio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.002 Amperio <-- Corriente de salida
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Anshika Arya
Instituto Nacional de Tecnología (LIENDRE), Hamirpur
¡Anshika Arya ha verificado esta calculadora y 2500+ más calculadoras!

Actual Calculadoras

Segunda corriente de drenaje de MOSFET en operación de señal grande
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Corriente de cortocircuito de MOSFET Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Corriente de salida = Transconductancia*Voltaje puerta-fuente
Iout = gm*Vgs

¿Cómo se protege un MOSFET de un cortocircuito?

El voltaje a través de la resistencia interna se puede detectar usando un comparador simple o incluso un transistor, que se enciende a un voltaje de alrededor de 0.5V. Por lo tanto, puede evitar el uso de una resistencia de detección (derivación), que generalmente produce una caída de voltaje adicional no deseada. El comparador puede ser monitoreado por un microcontrolador.

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