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Calculadora Corriente de saturación de canal corto VLSI

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Optimización de materiales VLSI Diseño VLSI analógico

✖El ancho del canal se define como el ancho físico del canal semiconductor entre los terminales de fuente y drenaje dentro de la estructura del transistor.ⓘ Ancho de banda [W_c]			+10% -10%
✖La velocidad de deriva de electrones de saturación se define como la velocidad máxima alcanzada por los electrones en un material semiconductor bajo la influencia de un campo eléctrico.ⓘ Velocidad de deriva de electrones de saturación [v_d(sat)]			+10% -10%
✖La capacitancia de óxido por unidad de área se define como la capacitancia por unidad de área de la capa de óxido aislante que separa la puerta metálica del material semiconductor.ⓘ Capacitancia de óxido por unidad de área [C_oxide]			+10% -10%
✖El voltaje de fuente de drenaje de saturación se define como el voltaje a través de los terminales de fuente y drenaje de un MOSFET cuando el transistor está funcionando en modo de saturación.ⓘ Voltaje de fuente de drenaje de saturación [V_Dsat]			+10% -10%

✖La corriente de saturación de canal corto se define como la corriente máxima que puede fluir a través de un transistor de canal corto cuando está en modo de saturación.ⓘ Corriente de saturación de canal corto VLSI [I_D(sat)]

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Corriente de saturación de canal corto VLSI Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de saturación de canal corto = Ancho de banda*Velocidad de deriva de electrones de saturación*Capacitancia de óxido por unidad de área*Voltaje de fuente de drenaje de saturación
I_D(sat) = W_c*v_d(sat)*C_oxide*V_Dsat
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Corriente de saturación de canal corto - (Medido en Amperio) - La corriente de saturación de canal corto se define como la corriente máxima que puede fluir a través de un transistor de canal corto cuando está en modo de saturación.
Ancho de banda - (Medido en Metro) - El ancho del canal se define como el ancho físico del canal semiconductor entre los terminales de fuente y drenaje dentro de la estructura del transistor.
Velocidad de deriva de electrones de saturación - (Medido en Metro por Segundo) - La velocidad de deriva de electrones de saturación se define como la velocidad máxima alcanzada por los electrones en un material semiconductor bajo la influencia de un campo eléctrico.
Capacitancia de óxido por unidad de área - (Medido en Farad por metro cuadrado) - La capacitancia de óxido por unidad de área se define como la capacitancia por unidad de área de la capa de óxido aislante que separa la puerta metálica del material semiconductor.
Voltaje de fuente de drenaje de saturación - (Medido en Voltio) - El voltaje de fuente de drenaje de saturación se define como el voltaje a través de los terminales de fuente y drenaje de un MOSFET cuando el transistor está funcionando en modo de saturación.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Ancho de banda: 2.5 Micrómetro --> 2.5E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)
Velocidad de deriva de electrones de saturación: 20000000 centímetro por segundo --> 200000 Metro por Segundo (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de óxido por unidad de área: 0.0703 Microfaradio por centímetro cuadrado --> 0.000703 Farad por metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)
Voltaje de fuente de drenaje de saturación: 1.5 Voltio --> 1.5 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

I_D(sat) = W_c*v_d(sat)*C_oxide*V_Dsat --> 2.5E-06*200000*0.000703*1.5

Evaluar ... ...

I_D(sat) = 0.00052725

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.00052725 Amperio -->527.25 Microamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

527.25 Microamperio <-- Corriente de saturación de canal corto

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Priyanka Patel

Facultad de ingeniería Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

¡Priyanka Patel ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Coeficiente de efecto corporal

LaTeX Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial

Carga de canal

LaTeX Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje crítico

LaTeX Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal