✖El ancho del canal se define como el ancho físico del canal semiconductor entre los terminales de fuente y drenaje dentro de la estructura del transistor.ⓘ Ancho de banda [Wc] | | | +10% -10% |
✖La velocidad de deriva de electrones de saturación se define como la velocidad máxima alcanzada por los electrones en un material semiconductor bajo la influencia de un campo eléctrico.ⓘ Velocidad de deriva de electrones de saturación [vd(sat)] | | | +10% -10% |
✖La capacitancia de óxido por unidad de área se define como la capacitancia por unidad de área de la capa de óxido aislante que separa la puerta metálica del material semiconductor.ⓘ Capacitancia de óxido por unidad de área [Coxide] | | | +10% -10% |
✖El voltaje de fuente de drenaje de saturación se define como el voltaje a través de los terminales de fuente y drenaje de un MOSFET cuando el transistor está funcionando en modo de saturación.ⓘ Voltaje de fuente de drenaje de saturación [VDsat] | | | +10% -10% |