Resistencia laminar de la capa Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Resistencia de la hoja = 1/(Cargar*Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N*Grosor de la capa)
Rs = 1/(q*μn*Nd*t)
Esta fórmula usa 5 Variables
Variables utilizadas
Resistencia de la hoja - (Medido en Ohm) - La resistencia de la lámina es la resistencia de una pieza cuadrada de un material delgado con contactos realizados en dos lados opuestos del cuadrado.
Cargar - (Medido en Culombio) - Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.
Movilidad del silicio con dopaje electrónico - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad del silicio con dopaje electrónico caracteriza la rapidez con la que un electrón puede moverse a través de un metal o semiconductor cuando es atraído por un campo eléctrico.
Concentración de equilibrio de tipo N - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de equilibrio del tipo N es igual a la densidad de los átomos donantes porque los electrones para la conducción los proporciona únicamente el átomo donante.
Grosor de la capa - (Medido en Metro) - El espesor de capa se utiliza a menudo para fabricar piezas fundidas para garantizar que la estructura de la pared esté diseñada con la cantidad justa de material.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Cargar: 5 miliculombio --> 0.005 Culombio (Verifique la conversión ​aquí)
Movilidad del silicio con dopaje electrónico: 0.38 centímetro cuadrado por segundo voltio --> 3.8E-05 Metro cuadrado por voltio por segundo (Verifique la conversión ​aquí)
Concentración de equilibrio de tipo N: 45 1 por centímetro cúbico --> 45000000 1 por metro cúbico (Verifique la conversión ​aquí)
Grosor de la capa: 100.5 Centímetro --> 1.005 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Rs = 1/(q*μn*Nd*t) --> 1/(0.005*3.8E-05*45000000*1.005)
Evaluar ... ...
Rs = 0.116377178435309
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.116377178435309 Ohm --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.116377178435309 0.116377 Ohm <-- Resistencia de la hoja
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Raúl Gupta
Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab
¡Raúl Gupta ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por parminder singh
Universidad de Chandigarh (CU), Punjab
¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 500+ más calculadoras!

Fabricación de circuitos integrados bipolares Calculadoras

Conductividad de tipo N
​ LaTeX ​ Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))
Conductividad óhmica de la impureza
​ LaTeX ​ Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)
Impureza con concentración intrínseca
​ LaTeX ​ Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)
Voltaje de ruptura del emisor colector
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)

Resistencia laminar de la capa Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Resistencia de la hoja = 1/(Cargar*Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N*Grosor de la capa)
Rs = 1/(q*μn*Nd*t)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!