Calculadora Sensibilidad del transductor fotorresistivo

✖El cambio de resistencia se refiere a la alteración de la resistencia eléctrica causada por variaciones en la intensidad de la luz incidente.ⓘ Cambio de resistencia [ΔR]			+10% -10%
✖El cambio de irradiación se define como el flujo radiante (potencia) recibido por una superficie por unidad de área.ⓘ Cambio de irradiación [ΔH]			+10% -10%

✖La sensibilidad del transductor fotorresistivo es el grado en que su resistencia cambia en respuesta a variaciones en la intensidad de la luz.ⓘ Sensibilidad del transductor fotorresistivo [ΔS]

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Fórmula

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Sensibilidad del transductor fotorresistivo

Fórmula

`"ΔS" = "ΔR"/"ΔH"`

Ejemplo

`"1.166667"="35Ω"/"30W/m²"`

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Sensibilidad del transductor fotorresistivo Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Sensibilidad del transductor fotorresistivo = Cambio de resistencia/Cambio de irradiación
ΔS = ΔR/ΔH
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Sensibilidad del transductor fotorresistivo - La sensibilidad del transductor fotorresistivo es el grado en que su resistencia cambia en respuesta a variaciones en la intensidad de la luz.
Cambio de resistencia - (Medido en Ohm) - El cambio de resistencia se refiere a la alteración de la resistencia eléctrica causada por variaciones en la intensidad de la luz incidente.
Cambio de irradiación - (Medido en vatio por metro cuadrado) - El cambio de irradiación se define como el flujo radiante (potencia) recibido por una superficie por unidad de área.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Cambio de resistencia: 35 Ohm --> 35 Ohm No se requiere conversión
Cambio de irradiación: 30 vatio por metro cuadrado --> 30 vatio por metro cuadrado No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

ΔS = ΔR/ΔH --> 35/30

Evaluar ... ...

ΔS = 1.16666666666667

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.16666666666667 --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

1.16666666666667 ≈ 1.166667 <-- Sensibilidad del transductor fotorresistivo

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 24 Transductores Calculadoras

Capacitancia del transductor

Vamos Capacitancia del transductor = Capacitancia del generador de corriente-(Capacitancia del amplificador+Capacitancia del cable)

Capacitancia del cable

Vamos Capacitancia del cable = Capacitancia del generador de corriente-(Capacitancia del transductor+Capacitancia del amplificador)

Capacitancia actual del generador

Vamos Capacitancia del generador de corriente = Capacitancia del transductor+Capacitancia del amplificador+Capacitancia del cable

Capacitancia del amplificador

Vamos Capacitancia del amplificador = Capacitancia del generador de corriente-Capacitancia del transductor-Capacitancia del cable

Equivalente de ruido de ancho de banda

Vamos Ancho de banda equivalente al ruido = Detectividad normalizada^2/(Detectividad del transductor^2*Área de detectores)

Detectividad normalizada

Vamos Detectividad normalizada = (Área de detectores*Ancho de banda equivalente al ruido)^0.5*Detectividad del transductor

Área de Detector

Vamos Área de detectores = Detectividad normalizada^2/(Detectividad del transductor^2*Ancho de banda equivalente al ruido)

Potencia incidente RMS del detector

Vamos Potencia incidente cuadrática media del detector = Salida de voltaje cuadrático medio/Respuesta del detector

Detector de voltaje de salida RMS

Vamos Salida de voltaje cuadrático medio = Respuesta del detector*Potencia incidente cuadrática media del detector

Detectividad del transductor

Vamos Detectividad del transductor = Relación señal/ruido de la señal de salida/Señal de desplazamiento de entrada

Responsividad del detector

Vamos Respuesta del detector = Salida de voltaje cuadrático medio/Potencia incidente cuadrática media del detector

Tamaño de la señal de salida

Vamos Tamaño de la señal de salida = Relación señal/ruido de la señal de salida/Detectividad del transductor

Voltaje de ruido RMS de la celda

Vamos Voltaje de ruido cuadrático medio de la celda = Respuesta del detector/Detectividad del transductor

Detectividad

Vamos Detectividad del transductor = Respuesta del detector/Voltaje de ruido cuadrático medio de la celda

Capacidad de respuesta del transductor

Vamos Responsividad del transductor = Señal de salida del transductor/Señal de desplazamiento de entrada

Señal de entrada del transductor

Vamos Señal de desplazamiento de entrada = Señal de salida del transductor/Responsividad del transductor

Señal de salida del transductor

Vamos Señal de salida del transductor = Señal de desplazamiento de entrada*Responsividad del transductor

Sensibilidad del transductor fotorresistivo

Vamos Sensibilidad del transductor fotorresistivo = Cambio de resistencia/Cambio de irradiación

Cambio en la irradiación

Vamos Cambio de irradiación = Cambio de resistencia/Sensibilidad del transductor fotorresistivo

Cambio de resistencia

Vamos Cambio de resistencia = Cambio de irradiación*Sensibilidad del transductor fotorresistivo

Sensibilidad de LVDT

Vamos Sensibilidad LVDT = Señal de salida del transductor/Señal de desplazamiento de entrada

Eficiencia del transductor

Vamos Eficiencia del transductor = Diferencia de temperatura/Aumento de la temperatura

Diferencia de temperatura

Vamos Diferencia de temperatura = Aumento de la temperatura*Eficiencia del transductor

Aumento de la temperatura

Vamos Aumento de la temperatura = Diferencia de temperatura/Eficiencia del transductor

Sensibilidad del transductor fotorresistivo Fórmula

Sensibilidad del transductor fotorresistivo = Cambio de resistencia/Cambio de irradiación
ΔS = ΔR/ΔH

¿Qué afecta la adhesión del fotorresistente?

Esta formación de desprendimiento es causada principalmente por tres factores: baja energía de adhesión del fotorresistente al metal, energía de deformación del fotorresistente generada a partir del gas nitrógeno y transferencia de energía de irradiación por luz ultravioleta a la película fotorresistente.

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