MCM de tres números

Calculadora Concentración de defectos de Schottky

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Cerámica y composites Comportamiento y pruebas mecánicas Diagramas de fase y transformaciones de fase

✖Número de sitios atómicos por metro cúbico.ⓘ Número de sitios atómicos [N]			+10% -10%
✖La energía de activación para la formación de Schottky representa la energía necesaria para la formación del defecto de Schottky.ⓘ Energía de activación para la formación de Schottky [Q_s]			+10% -10%
✖La constante universal de gas es una constante física que aparece en una ecuación que define el comportamiento de un gas en condiciones teóricamente ideales. Su unidad es joule * kelvin − 1 * mole − 1.ⓘ Constante universal de gas [R]			+10% -10%
✖La temperatura es el grado o intensidad de calor presente en una sustancia u objeto.ⓘ Temperatura [T]			+10% -10%

✖El número de defectos de Schottky representa el número de equilibrio de defectos de Schottky por metro cúbico.ⓘ Concentración de defectos de Schottky [N_S]

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Fórmula

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Concentración de defectos de Schottky

Fórmula

N S = N \cdot \exp (- \frac{Q s}{2 \cdot R \cdot T})

Ejemplo

8E+28 = 8.0E28 \cdot \exp (- \frac{2.6 eV}{2 \cdot 8.314 \cdot 85 K})

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Concentración de defectos de Schottky Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Número de defectos de Schottky = Número de sitios atómicos*exp(-Energía de activación para la formación de Schottky/(2*Constante universal de gas*Temperatura))
N_S = N*exp(-Q_s/(2*R*T))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables

Funciones utilizadas

exp - En una función exponencial, el valor de la función cambia en un factor constante por cada cambio de unidad en la variable independiente., exp(Number)

Variables utilizadas

Número de defectos de Schottky - El número de defectos de Schottky representa el número de equilibrio de defectos de Schottky por metro cúbico.
Número de sitios atómicos - Número de sitios atómicos por metro cúbico.
Energía de activación para la formación de Schottky - (Medido en Joule) - La energía de activación para la formación de Schottky representa la energía necesaria para la formación del defecto de Schottky.
Constante universal de gas - La constante universal de gas es una constante física que aparece en una ecuación que define el comportamiento de un gas en condiciones teóricamente ideales. Su unidad es joule * kelvin − 1 * mole − 1.
Temperatura - (Medido en Kelvin) - La temperatura es el grado o intensidad de calor presente en una sustancia u objeto.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Número de sitios atómicos: 8E+28 --> No se requiere conversión
Energía de activación para la formación de Schottky: 2.6 Electron-Voltio --> 4.16566105800002E-19 Joule (Verifique la conversión aquí)
Constante universal de gas: 8.314 --> No se requiere conversión
Temperatura: 85 Kelvin --> 85 Kelvin No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

N_S = N*exp(-Q_s/(2*R*T)) --> 8E+28*exp(-4.16566105800002E-19/(2*8.314*85))

Evaluar ... ...

N_S = 8E+28

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

8E+28 --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

8E+28 <-- Número de defectos de Schottky

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Equipo Softusvista

Oficina Softusvista (Pune), India

¡Equipo Softusvista ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Himanshi Sharma

Instituto de Tecnología Bhilai (POCO), Raipur

¡Himanshi Sharma ha verificado esta calculadora y 800+ más calculadoras!

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Módulo de Young de material poroso

Vamos Módulo de Young de material poroso = Módulo de Young de material no poroso*(1-(0.019*Porcentaje de volumen de porosidad)+(0.00009*Porcentaje de volumen de porosidad*Porcentaje de volumen de porosidad))

Concentración de defectos de Schottky

Vamos Número de defectos de Schottky = Número de sitios atómicos*exp(-Energía de activación para la formación de Schottky/(2*Constante universal de gas*Temperatura))

Longitud crítica de fibra

Vamos Longitud crítica de la fibra = Resistencia a la tracción de la fibra*Diámetro de fibra/(2*Esfuerzo cortante crítico)

Módulo de Young a partir del módulo de corte

Vamos El módulo de Young = 2*Módulo de corte*(1+El coeficiente de Poisson)

Concentración de defectos de Schottky Fórmula

Número de defectos de Schottky = Número de sitios atómicos*exp(-Energía de activación para la formación de Schottky/(2*Constante universal de gas*Temperatura))
N_S = N*exp(-Q_s/(2*R*T))

Defectos de Schottky

Se podría pensar que los defectos de Schottky se crean al eliminar un catión y un anión del interior del cristal y luego colocarlos en una superficie externa. Dado que tanto los cationes como los aniones tienen la misma carga, y dado que por cada vacante de anión existe una vacante de catión, se mantiene la neutralidad de carga del cristal.

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