Calculadora Voltaje de saturación de MOSFET

✖El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.ⓘ Voltaje puerta-fuente [V_gs]			+10% -10%
✖El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.ⓘ Voltaje de umbral [V_th]			+10% -10%

✖El voltaje de saturación de drenaje y fuente es el voltaje al que el FET ya no puede operar como un amplificador, y su voltaje de salida se fija en un valor máximo.ⓘ Voltaje de saturación de MOSFET [V_ds(s)]

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Voltaje de saturación de MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje de saturación de fuente y drenaje = Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral
V_ds(s) = V_gs-V_th
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Voltaje de saturación de fuente y drenaje - (Medido en Voltio) - El voltaje de saturación de drenaje y fuente es el voltaje al que el FET ya no puede operar como un amplificador, y su voltaje de salida se fija en un valor máximo.
Voltaje puerta-fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje puerta-fuente: 4 Voltio --> 4 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de umbral: 2.3 Voltio --> 2.3 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_ds(s) = V_gs-V_th --> 4-2.3

Evaluar ... ...

V_ds(s) = 1.7

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.7 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

1.7 Voltio <-- Voltaje de saturación de fuente y drenaje

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< Voltaje Calculadoras

Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET dada la señal de modo común

LaTeX Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -Resistencia de salida*(Transconductancia*Señal de entrada de modo común)/(1+(2*Transconductancia*Resistencia de salida))

Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET dada la señal de modo común

LaTeX Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida/((1/Transconductancia)+2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común

Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET

LaTeX Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)

Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET

LaTeX Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)

< Características del MOSFET Calculadoras

Ganancia de voltaje dada la resistencia de carga de MOSFET

LaTeX Vamos Ganancia de voltaje = Transconductancia*(1/(1/Resistencia de carga+1/Resistencia de salida))/(1+Transconductancia*Resistencia de la fuente)

Ganancia máxima de voltaje en el punto de polarización

LaTeX Vamos Ganancia máxima de voltaje = 2*(Voltaje de suministro-Voltaje efectivo)/(Voltaje efectivo)

Ganancia de voltaje dado voltaje de drenaje

LaTeX Vamos Ganancia de voltaje = (Corriente de drenaje*Resistencia de carga*2)/Voltaje efectivo

Ganancia máxima de voltaje dados todos los voltajes

LaTeX Vamos Ganancia máxima de voltaje = (Voltaje de suministro-0.3)/Voltaje térmico

Voltaje de saturación de MOSFET Fórmula

LaTeX Vamos

Voltaje de saturación de fuente y drenaje = Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral
V_ds(s) = V_gs-V_th

¿Qué es la región de saturación de MOSFET?

En la región de saturación o lineal, el transistor se polarizará para que se aplique la cantidad máxima de voltaje de puerta al dispositivo, lo que da como resultado la resistencia del canal RDS (al ser lo más pequeña posible con la máxima corriente de drenaje fluyendo a través del interruptor MOSFET.

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