Calculadora Voltaje de saturación de IGBT

✖Tensión Base Emisor PNP IGBT. Un IGBT es un dispositivo híbrido que combina las ventajas de un MOSFET y un BJT.ⓘ Voltaje base emisor PNP IGBT [V_{B-E(pnp)(igbt)}]			+10% -10%
✖La corriente de drenaje (IGBT) es la corriente que fluye a través de la unión de drenaje del MOSFET y el IGBT.ⓘ Corriente de drenaje (IGBT) [I_d(igbt)]			+10% -10%
✖La resistencia de conductividad IGBT es la resistencia cuando un IGBT está encendido y conduce corriente.ⓘ Resistencia a la conductividad IGBT [R_s(igbt)]			+10% -10%
✖La resistencia del canal N (IGBT) es la resistencia del material semiconductor en el dispositivo cuando el IGBT está encendido.ⓘ Resistencia del canal N (IGBT) [R_ch(igbt)]			+10% -10%

✖El voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) de un transistor bipolar de puerta aislada es la caída de voltaje a través del IGBT cuando está encendido y conduciendo corriente.ⓘ Voltaje de saturación de IGBT [V_{c-e(sat)(igbt)}]

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Voltaje de saturación de IGBT Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) = Voltaje base emisor PNP IGBT+Corriente de drenaje (IGBT)*(Resistencia a la conductividad IGBT+Resistencia del canal N (IGBT))
V_{c-e(sat)(igbt)} = V_{B-E(pnp)(igbt)}+I_d(igbt)*(R_s(igbt)+R_ch(igbt))
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) - (Medido en Voltio) - El voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) de un transistor bipolar de puerta aislada es la caída de voltaje a través del IGBT cuando está encendido y conduciendo corriente.
Voltaje base emisor PNP IGBT - (Medido en Voltio) - Tensión Base Emisor PNP IGBT. Un IGBT es un dispositivo híbrido que combina las ventajas de un MOSFET y un BJT.
Corriente de drenaje (IGBT) - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje (IGBT) es la corriente que fluye a través de la unión de drenaje del MOSFET y el IGBT.
Resistencia a la conductividad IGBT - (Medido en Ohm) - La resistencia de conductividad IGBT es la resistencia cuando un IGBT está encendido y conduce corriente.
Resistencia del canal N (IGBT) - (Medido en Ohm) - La resistencia del canal N (IGBT) es la resistencia del material semiconductor en el dispositivo cuando el IGBT está encendido.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje base emisor PNP IGBT: 2.15 Voltio --> 2.15 Voltio No se requiere conversión
Corriente de drenaje (IGBT): 105 Miliamperio --> 0.105 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Resistencia a la conductividad IGBT: 1.03 kilohmios --> 1030 Ohm (Verifique la conversión aquí)
Resistencia del canal N (IGBT): 10.59 kilohmios --> 10590 Ohm (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_{c-e(sat)(igbt)} = V_{B-E(pnp)(igbt)}+I_d(igbt)*(R_s(igbt)+R_ch(igbt)) --> 2.15+0.105*(1030+10590)

Evaluar ... ...

V_{c-e(sat)(igbt)} = 1222.25

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1222.25 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

1222.25 Voltio <-- Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT)

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Mohamed Fazil V

instituto de tecnología acharya (AIT), Bangalore

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Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

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