Calculadora Tiempo de saturación

Tiempo de saturación = -2*Capacitancia de carga/(Parámetro del proceso de transconductancia*(Alto voltaje de salida-Voltaje umbral)^2)*int(1,x,Alto voltaje de salida,Alto voltaje de salida-Voltaje umbral)
T_sat = -2*C_load/(k_n*(V_OH-V_T)^2)*int(1,x,V_OH,V_OH-V_T)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables
int - La integral definida se puede utilizar para calcular el área neta con signo, que es el área por encima del eje x menos el área por debajo del eje x., int(expr, arg, from, to)Tiempo de saturación - (Medido en Segundo) - El tiempo de saturación es el tiempo que tarda el voltaje de salida de un MOSFET en alcanzar un nivel específico (V
Capacitancia de carga - (Medido en Faradio) - La capacitancia de carga es la capacitancia total conectada al terminal de salida del transistor, incluidos los componentes externos y la capacitancia parásita del MOSFET.
Parámetro del proceso de transconductancia - (Medido en Amperio por voltio cuadrado) - El parámetro del proceso de transconductancia es una constante específica del dispositivo que caracteriza la capacidad del transistor para convertir un cambio en el voltaje de la puerta en un cambio en la corriente de salida.
Alto voltaje de salida - (Medido en Voltio) - El alto voltaje de salida es el nivel máximo de voltaje que el transistor puede alcanzar en su terminal de salida cuando está completamente encendido (operando en saturación).
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral es el voltaje mínimo de puerta a fuente requerido en un MOSFET para "encenderlo" y permitir que fluya una corriente significativa.

(Cálculo completado en 00.010 segundos)