Corriente de saturación en transistor Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Corriente de saturación = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Difusión efectiva*Concentración intrínseca^2)/Impureza total
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb
Esta fórmula usa 6 Variables
Variables utilizadas
Corriente de saturación - (Medido en Amperio) - La corriente de saturación se refiere a la corriente máxima que puede fluir a través del transistor cuando está completamente encendido.
Cargar - (Medido en Culombio) - Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.
Área de unión de la base del emisor - (Medido en Metro cuadrado) - El área de unión de la base del emisor es una unión PN formada entre el material tipo P fuertemente dopado (emisor) y el material tipo N ligeramente dopado (base) del transistor.
Difusión efectiva - La difusión efectiva es un parámetro relacionado con el proceso de difusión de los portadores y está influenciado por las propiedades del material y la geometría de la unión semiconductora.
Concentración intrínseca - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración intrínseca es la cantidad de electrones en la banda de conducción o la cantidad de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.
Impureza total - (Medido en Metro cuadrado) - La impureza total define las impurezas que se mezclan en un átomo por unidad de área en una base o la cantidad de impureza agregada a un semiconductor intrínseco varía su nivel de conductividad.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Cargar: 5 miliculombio --> 0.005 Culombio (Verifique la conversión ​aquí)
Área de unión de la base del emisor: 1.75 Centímetro cuadrado --> 0.000175 Metro cuadrado (Verifique la conversión ​aquí)
Difusión efectiva: 0.5 --> No se requiere conversión
Concentración intrínseca: 1.32 1 por centímetro cúbico --> 1320000 1 por metro cúbico (Verifique la conversión ​aquí)
Impureza total: 3600000000 Centímetro cuadrado --> 360000 Metro cuadrado (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb --> (0.005*0.000175*0.5*1320000^2)/360000
Evaluar ... ...
Isat = 2.1175
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
2.1175 Amperio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
2.1175 Amperio <-- Corriente de saturación
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Raúl Gupta
Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab
¡Raúl Gupta ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore
¡Ritwik Tripathi ha verificado esta calculadora y 100+ más calculadoras!

Fabricación de circuitos integrados bipolares Calculadoras

Conductividad de tipo N
​ LaTeX ​ Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))
Conductividad óhmica de la impureza
​ LaTeX ​ Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)
Impureza con concentración intrínseca
​ LaTeX ​ Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)
Voltaje de ruptura del emisor colector
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)

Corriente de saturación en transistor Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Corriente de saturación = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Difusión efectiva*Concentración intrínseca^2)/Impureza total
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb
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