MCM de dos números

Calculadora Vida útil de la recombinación

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Banda de energía y portador de carga Electrones y agujeros Portadores de semiconductores Unión SSD

✖La proporcionalidad para la recombinación se indica con el símbolo αr.ⓘ Proporcionalidad para la recombinación [α_r]			+10% -10%
✖La concentración de huecos en la banda de valencia se refiere a la cantidad o abundancia de huecos presentes en la banda de valencia de un material semiconductor.ⓘ Concentración de agujeros en la banda de cenefa [p₀]			+10% -10%

✖Recombination Lifetime el tiempo promedio que tarda un exceso de portador minoritario en recombinarse.ⓘ Vida útil de la recombinación [τ_n]

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Vida útil de la recombinación Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Vida útil de la recombinación = (Proporcionalidad para la recombinación*Concentración de agujeros en la banda de cenefa)^-1
τ_n = (α_r*p₀)^-1
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Vida útil de la recombinación - (Medido en Segundo) - Recombination Lifetime el tiempo promedio que tarda un exceso de portador minoritario en recombinarse.
Proporcionalidad para la recombinación - (Medido en Metro cúbico por segundo) - La proporcionalidad para la recombinación se indica con el símbolo αr.
Concentración de agujeros en la banda de cenefa - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de huecos en la banda de valencia se refiere a la cantidad o abundancia de huecos presentes en la banda de valencia de un material semiconductor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Proporcionalidad para la recombinación: 1.2E-06 Metro cúbico por segundo --> 1.2E-06 Metro cúbico por segundo No se requiere conversión
Concentración de agujeros en la banda de cenefa: 230000000000 1 por metro cúbico --> 230000000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

τ_n = (α_r*p₀)^-1 --> (1.2E-06*230000000000)^-1

Evaluar ... ...

τ_n = 3.6231884057971E-06

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

3.6231884057971E-06 Segundo --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

3.6231884057971E-06 ≈ 3.6E-6 Segundo <-- Vida útil de la recombinación

(Cálculo completado en 00.005 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Concentración de electrones en estado estacionario

LaTeX Vamos Concentración de portadores en estado estacionario = Concentración de electrones en banda de conducción+Exceso de concentración de portadores

Energía del electrón dada la constante de Coulomb

LaTeX Vamos Energía del electrón = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longitud potencial del pozo^2)

Energía de la banda de valencia

LaTeX Vamos Energía de la banda de valencia = Energía de banda de conducción-Brecha de energía

Brecha de energía

LaTeX Vamos Brecha de energía = Energía de banda de conducción-Energía de la banda de valencia

Vida útil de la recombinación Fórmula

LaTeX Vamos

Vida útil de la recombinación = (Proporcionalidad para la recombinación*Concentración de agujeros en la banda de cenefa)^-1
τ_n = (α_r*p₀)^-1

¿Qué es la concentración intrínseca?

La concentración de portador intrínseco es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.

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