Calculadora Bajar la corriente en la región lineal

✖El número de transistores controladores en paralelo se refiere al número de transistores controladores en paralelo en el circuito.ⓘ Número de transistores de controlador paralelo [n]			+10% -10%
✖La movilidad electrónica en MOSFET describe la facilidad con la que los electrones pueden moverse a través del canal, impactando directamente el flujo de corriente para un voltaje determinado.ⓘ Movilidad electrónica [μ_n]			+10% -10%
✖La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.ⓘ Capacitancia de óxido [C_ox]			+10% -10%
✖El ancho del canal representa el ancho del canal conductor dentro de un MOSFET, lo que afecta directamente la cantidad de corriente que puede manejar.ⓘ Ancho de banda [W]			+10% -10%
✖La longitud del canal en un MOSFET es la distancia entre las regiones de fuente y drenaje, lo que determina la facilidad con la que fluye la corriente y afecta el rendimiento del transistor.ⓘ Longitud del canal [L]			+10% -10%
✖El voltaje de fuente de puerta es el voltaje aplicado entre la puerta y los terminales de fuente de un MOSFET.ⓘ Voltaje de fuente de puerta [V_GS]			+10% -10%
✖El voltaje umbral es el voltaje mínimo de puerta a fuente requerido en un MOSFET para "encenderlo" y permitir que fluya una corriente significativa.ⓘ Voltaje umbral [V_T]			+10% -10%
✖Voltaje de salida en un circuito MOSFET de canal n con una resistencia desplegable, Vⓘ Tensión de salida [V_out]			+10% -10%

✖La corriente de descenso de región lineal es la corriente que pasa a través de la resistencia cuando se utiliza una resistencia de descenso con un MOSFET de canal N en modo lineal.ⓘ Bajar la corriente en la región lineal [I_D(linear)]

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Bajar la corriente en la región lineal Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de descenso de región lineal = sum(x,0,Número de transistores de controlador paralelo,(Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido/2)*(Ancho de banda/Longitud del canal)*(2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral)*Tensión de salida-Tensión de salida^2))
I_D(linear) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(2*(V_GS-V_T)*V_out-V_out^2))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 9 Variables

Funciones utilizadas

sum - La notación de suma o sigma (∑) es un método utilizado para escribir una suma larga de forma concisa., sum(i, from, to, expr)

Variables utilizadas

Corriente de descenso de región lineal - (Medido en Amperio) - La corriente de descenso de región lineal es la corriente que pasa a través de la resistencia cuando se utiliza una resistencia de descenso con un MOSFET de canal N en modo lineal.
Número de transistores de controlador paralelo - El número de transistores controladores en paralelo se refiere al número de transistores controladores en paralelo en el circuito.
Movilidad electrónica - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad electrónica en MOSFET describe la facilidad con la que los electrones pueden moverse a través del canal, impactando directamente el flujo de corriente para un voltaje determinado.
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.
Ancho de banda - (Medido en Metro) - El ancho del canal representa el ancho del canal conductor dentro de un MOSFET, lo que afecta directamente la cantidad de corriente que puede manejar.
Longitud del canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal en un MOSFET es la distancia entre las regiones de fuente y drenaje, lo que determina la facilidad con la que fluye la corriente y afecta el rendimiento del transistor.
Voltaje de fuente de puerta - (Medido en Voltio) - El voltaje de fuente de puerta es el voltaje aplicado entre la puerta y los terminales de fuente de un MOSFET.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral es el voltaje mínimo de puerta a fuente requerido en un MOSFET para "encenderlo" y permitir que fluya una corriente significativa.
Tensión de salida - (Medido en Voltio) - Voltaje de salida en un circuito MOSFET de canal n con una resistencia desplegable, V

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Número de transistores de controlador paralelo: 11 --> No se requiere conversión
Movilidad electrónica: 9.92 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 9.92 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Capacitancia de óxido: 3.9 Faradio --> 3.9 Faradio No se requiere conversión
Ancho de banda: 2.678 Metro --> 2.678 Metro No se requiere conversión
Longitud del canal: 3.45 Metro --> 3.45 Metro No se requiere conversión
Voltaje de fuente de puerta: 29.65 Voltio --> 29.65 Voltio No se requiere conversión
Voltaje umbral: 5.91 Voltio --> 5.91 Voltio No se requiere conversión
Tensión de salida: 4.89 Voltio --> 4.89 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

I_D(linear) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(2*(V_GS-V_T)*V_out-V_out^2)) --> sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(2*(29.65-5.91)*4.89-4.89^2))

Evaluar ... ...

I_D(linear) = 37526.2792793155

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

37526.2792793155 Amperio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

37526.2792793155 ≈ 37526.28 Amperio <-- Corriente de descenso de región lineal

(Cálculo completado en 00.035 segundos)

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Créditos

Creado por Vignesh Naidu

Instituto de Tecnología de Vellore (VIT), Vellore, Tamil Nadu

¡Vignesh Naidu ha creado esta calculadora y 10+ más calculadoras!

Verificada por Dipanjona Mallick

Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta

¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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