Concentración de protones en condiciones de desequilibrio Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Concentración de protones = Concentración intrínseca de electrones*exp((Nivel de energía intrínseca del semiconductor-Nivel cuasi Fermi de electrones)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))
pc = ni*exp((Ei-Fn)/([BoltZ]*T))
Esta fórmula usa 1 Constantes, 1 Funciones, 5 Variables
Constantes utilizadas
[BoltZ] - constante de Boltzmann Valor tomado como 1.38064852E-23
Funciones utilizadas
exp - En una función exponencial, el valor de la función cambia en un factor constante por cada cambio de unidad en la variable independiente., exp(Number)
Variables utilizadas
Concentración de protones - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de protones se refiere a la densidad o abundancia de protones en un material o dispositivo determinado. Los protones son partículas subatómicas que se encuentran en el núcleo de un átomo.
Concentración intrínseca de electrones - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración intrínseca de electrones es la no. de portadores de carga en un semiconductor cuando está en equilibrio térmico.
Nivel de energía intrínseca del semiconductor - (Medido en Joule) - El nivel de energía intrínseca de un semiconductor se refiere al nivel de energía asociado con los electrones en ausencia de impurezas o influencias externas.
Nivel cuasi Fermi de electrones - (Medido en Joule) - El nivel de electrones Quasi Fermi es el nivel de energía efectivo para los electrones en una condición de no equilibrio. Representa la energía hasta la cual se pueblan los electrones.
Temperatura absoluta - (Medido en Kelvin) - La temperatura absoluta representa la temperatura del sistema.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Concentración intrínseca de electrones: 3.6 Electrones por metro cúbico --> 3.6 Electrones por metro cúbico No se requiere conversión
Nivel de energía intrínseca del semiconductor: 3.78 Electron-Voltio --> 6.05623030740003E-19 Joule (Verifique la conversión ​aquí)
Nivel cuasi Fermi de electrones: 3.7 Electron-Voltio --> 5.92805612100003E-19 Joule (Verifique la conversión ​aquí)
Temperatura absoluta: 393 Kelvin --> 393 Kelvin No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
pc = ni*exp((Ei-Fn)/([BoltZ]*T)) --> 3.6*exp((6.05623030740003E-19-5.92805612100003E-19)/([BoltZ]*393))
Evaluar ... ...
pc = 38.2131068309601
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
38.2131068309601 Electrones por metro cúbico --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
38.2131068309601 38.21311 Electrones por metro cúbico <-- Concentración de protones
(Cálculo completado en 00.008 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Gowthaman N
Instituto de Tecnología de Vellore (Universidad VIT), Chennai
¡Gowthaman N ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!
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Verificada por parminder singh
Universidad de Chandigarh (CU), Punjab
¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 500+ más calculadoras!

Dispositivos fotónicos Calculadoras

Cambio de fase neto
​ LaTeX ​ Vamos Cambio de fase neto = pi/Longitud de onda de la luz*(Índice de refracción)^3*Longitud de la fibra*Tensión de alimentación
Potencia óptica radiada
​ LaTeX ​ Vamos Potencia óptica radiada = Emisividad*[Stefan-BoltZ]*Área de origen*Temperatura^4
Número de modo
​ LaTeX ​ Vamos Número de modo = (2*Longitud de la cavidad*Índice de refracción)/Longitud de onda del fotón
Longitud de la cavidad
​ LaTeX ​ Vamos Longitud de la cavidad = (Longitud de onda del fotón*Número de modo)/2

Concentración de protones en condiciones de desequilibrio Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Concentración de protones = Concentración intrínseca de electrones*exp((Nivel de energía intrínseca del semiconductor-Nivel cuasi Fermi de electrones)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))
pc = ni*exp((Ei-Fn)/([BoltZ]*T))
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