Voltaje positivo dada la longitud del canal en NMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Voltaje = Parámetro del dispositivo*Longitud del Canal
V = VA*L
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Voltaje - (Medido en Voltio) - El voltaje es la diferencia de potencial eléctrico entre dos puntos, que se define como el trabajo necesario por unidad de carga para mover una carga de prueba entre los dos puntos.
Parámetro del dispositivo - (Medido en Voltio) - El parámetro del dispositivo es el parámetro utilizado en el cálculo relacionado con MOSFET. VA es proporcional a la longitud del canal L que el diseñador selecciona para un MOSFET.
Longitud del Canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal se puede definir como la distancia entre sus puntos inicial y final, y puede variar mucho según su propósito y ubicación.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Parámetro del dispositivo: 4 Voltio --> 4 Voltio No se requiere conversión
Longitud del Canal: 3 Micrómetro --> 3E-06 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
V = VA*L --> 4*3E-06
Evaluar ... ...
V = 1.2E-05
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
1.2E-05 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
1.2E-05 1.2E-5 Voltio <-- Voltaje
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Mejora del canal N Calculadoras

Fuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS
​ LaTeX ​ Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2)
Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta
​ LaTeX ​ Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje^2)
NMOS como resistencia lineal
​ LaTeX ​ Vamos Resistencia lineal = Longitud del Canal/(Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Capacitancia de óxido*Ancho de canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral))
Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS
​ LaTeX ​ Vamos Velocidad de deriva de electrones = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal

Voltaje positivo dada la longitud del canal en NMOS Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Voltaje = Parámetro del dispositivo*Longitud del Canal
V = VA*L

¿Para qué se utiliza un MOSFET?

El transistor MOSFET (Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es un dispositivo semiconductor que se usa ampliamente para fines de conmutación y para la amplificación de señales electrónicas en dispositivos electrónicos.

¿Cuáles son los tipos de MOSFET?

Hay dos clases de MOSFET. Hay un modo de agotamiento y un modo de mejora. Cada clase está disponible como canal n o p, lo que da un total de cuatro tipos de MOSFET. El modo de agotamiento viene en una N o una P y un modo de mejora viene en una N o una P.

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