Voltaje positivo dado parámetro de dispositivo en MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Corriente de entrada = Voltaje puerta-fuente*(Frecuencia angular*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
Iin = Vgs*(ω*(Csg+Cgd))
Esta fórmula usa 5 Variables
Variables utilizadas
Corriente de entrada - (Medido en Amperio) - La corriente de entrada puede referirse a la corriente eléctrica que fluye hacia un dispositivo o circuito eléctrico. Esta corriente puede ser CA o CC según el dispositivo y la fuente de alimentación.
Voltaje puerta-fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.
Frecuencia angular - (Medido en radianes por segundo) - La frecuencia angular de la onda se refiere al desplazamiento angular por unidad de tiempo. Es una medida escalar de la velocidad de rotación.
Capacitancia de puerta de fuente - (Medido en Faradio) - La capacitancia de la puerta de la fuente es una medida de la capacitancia entre los electrodos de la fuente y de la puerta en un transistor de efecto de campo (FET).
Capacitancia de drenaje de puerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia de puerta-drenaje es una capacitancia parásita que existe entre la puerta y los electrodos de drenaje de un transistor de efecto de campo (FET).
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Voltaje puerta-fuente: 4 Voltio --> 4 Voltio No se requiere conversión
Frecuencia angular: 33 radianes por segundo --> 33 radianes por segundo No se requiere conversión
Capacitancia de puerta de fuente: 8.16 Microfaradio --> 8.16E-06 Faradio (Verifique la conversión ​aquí)
Capacitancia de drenaje de puerta: 7 Microfaradio --> 7E-06 Faradio (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Iin = Vgs*(ω*(Csg+Cgd)) --> 4*(33*(8.16E-06+7E-06))
Evaluar ... ...
Iin = 0.00200112
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.00200112 Amperio -->2.00112 Miliamperio (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
2.00112 Miliamperio <-- Corriente de entrada
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Voltaje Calculadoras

Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET dada la señal de modo común
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -Resistencia de salida*(Transconductancia*Señal de entrada de modo común)/(1+(2*Transconductancia*Resistencia de salida))
Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET dada la señal de modo común
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida/((1/Transconductancia)+2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común
Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)
Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)

Voltaje positivo dado parámetro de dispositivo en MOSFET Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Corriente de entrada = Voltaje puerta-fuente*(Frecuencia angular*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
Iin = Vgs*(ω*(Csg+Cgd))

¿Para qué se utiliza un MOSFET?

El transistor MOSFET (Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es un dispositivo semiconductor que se usa ampliamente para fines de conmutación y para la amplificación de señales electrónicas en dispositivos electrónicos.

¿Cuáles son los tipos de MOSFET?

Hay dos clases de MOSFET. Hay un modo de agotamiento y un modo de mejora. Cada clase está disponible como canal n o p, lo que da un total de cuatro tipos de MOSFET. El modo de agotamiento viene en una N o una P y un modo de mejora viene en una N o una P.

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