Calculadora Longitud de unión PN

✖El ancho de la región de agotamiento en un diodo de Si típico varía desde una fracción de micrómetro hasta decenas de micrómetros, según la geometría del dispositivo, el perfil de dopaje y la polarización externa.ⓘ Ancho de la región de agotamiento [L_d]			+10% -10%
✖La longitud efectiva del canal se define como el camino que une los portadores de carga entre el drenaje y la fuente.ⓘ Longitud efectiva del canal [L_eff]			+10% -10%

✖La longitud de la unión PN se define como la longitud total de la unión desde el lado p al lado n en un semiconductor.ⓘ Longitud de unión PN [L_pn]

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Longitud de unión PN Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Longitud de unión PN = Ancho de la región de agotamiento+Longitud efectiva del canal
L_pn = L_d+L_eff
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Longitud de unión PN - (Medido en Metro) - La longitud de la unión PN se define como la longitud total de la unión desde el lado p al lado n en un semiconductor.
Ancho de la región de agotamiento - (Medido en Metro) - El ancho de la región de agotamiento en un diodo de Si típico varía desde una fracción de micrómetro hasta decenas de micrómetros, según la geometría del dispositivo, el perfil de dopaje y la polarización externa.
Longitud efectiva del canal - (Medido en Metro) - La longitud efectiva del canal se define como el camino que une los portadores de carga entre el drenaje y la fuente.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Ancho de la región de agotamiento: 11.01 Milímetro --> 0.01101 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud efectiva del canal: 8 Milímetro --> 0.008 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

L_pn = L_d+L_eff --> 0.01101+0.008

Evaluar ... ...

L_pn = 0.01901

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.01901 Metro -->19.01 Milímetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

19.01 Milímetro <-- Longitud de unión PN

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Ancho de difusión de la fuente

LaTeX Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente

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CMOS significa ruta libre

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Voltaje crítico CMOS

LaTeX Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio

Longitud de unión PN Fórmula

LaTeX Vamos

Longitud de unión PN = Ancho de la región de agotamiento+Longitud efectiva del canal
L_pn = L_d+L_eff

¿Qué es la conducción subumbral?

La conducción subumbral o la fuga subumbral o la corriente de drenaje subumbral es la corriente entre la fuente y el drenaje de un MOSFET cuando el transistor está en la región subumbral, o región de inversión débil, es decir, para voltajes de puerta a fuente por debajo del voltaje umbral.

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