MCM de dos números

Calculadora Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje VLSI

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Optimización de materiales VLSI Diseño VLSI analógico

✖La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.ⓘ Concentración de aceptor [N_A]			+10% -10%
✖El voltaje incorporado en la unión se define como el voltaje que existe a través de una unión semiconductora en equilibrio térmico, donde no se aplica voltaje externo.ⓘ Voltaje incorporado de unión [Ø₀]			+10% -10%
✖Drenaje a fuente El potencial es el potencial entre el drenaje y la fuente.ⓘ Drenar a la fuente potencial [V_ds]			+10% -10%

✖La profundidad de agotamiento de la unión Pn con drenaje se define como la extensión de la región de agotamiento hacia el material semiconductor cerca del terminal de drenaje.ⓘ Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje VLSI [x_dD]

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Fórmula

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Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje VLSI

Fórmula

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot N A}) \cdot (Ø 0 + V ds)}

Ejemplo

0.534467 μm = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot 1e+16 /cm³}) \cdot (0.76 V + 1.45 V)}

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Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje VLSI Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Concentración de aceptor))*(Voltaje incorporado de unión+Drenar a la fuente potencial))
x_dD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*N_A))*(Ø₀+V_ds))
Esta fórmula usa 3 Constantes, 1 Funciones, 4 Variables

Constantes utilizadas

[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio Valor tomado como 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permitividad del vacío Valor tomado como 8.85E-12
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje - (Medido en Metro) - La profundidad de agotamiento de la unión Pn con drenaje se define como la extensión de la región de agotamiento hacia el material semiconductor cerca del terminal de drenaje.
Concentración de aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.
Voltaje incorporado de unión - (Medido en Voltio) - El voltaje incorporado en la unión se define como el voltaje que existe a través de una unión semiconductora en equilibrio térmico, donde no se aplica voltaje externo.
Drenar a la fuente potencial - (Medido en Voltio) - Drenaje a fuente El potencial es el potencial entre el drenaje y la fuente.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Concentración de aceptor: 1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Voltaje incorporado de unión: 0.76 Voltio --> 0.76 Voltio No se requiere conversión
Drenar a la fuente potencial: 1.45 Voltio --> 1.45 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

x_dD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*N_A))*(Ø₀+V_ds)) --> sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*1E+22))*(0.76+1.45))

Evaluar ... ...

x_dD = 5.34466520692296E-07

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

5.34466520692296E-07 Metro -->0.534466520692296 Micrómetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.534466520692296 ≈ 0.534467 Micrómetro <-- Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Priyanka Patel

Facultad de ingeniería Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

¡Priyanka Patel ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Coeficiente de efecto corporal

Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))

Coeficiente DIBL

Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial

Carga de canal

Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje crítico

Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal