Permitividad de la capa de óxido Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Permitividad de la capa de óxido = Espesor de la capa de óxido*Capacitancia de la puerta de entrada/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)
εox = tox*Cin/(Wg*Lg)
Esta fórmula usa 5 Variables
Variables utilizadas
Permitividad de la capa de óxido - (Medido en farad por metro) - La permitividad de la capa de óxido se define como la capacidad de una sustancia para almacenar energía eléctrica en un campo eléctrico.
Espesor de la capa de óxido - (Medido en Metro) - El espesor de la capa de óxido tox se determina durante la tecnología del proceso que se utiliza para fabricar el MOSFET.
Capacitancia de la puerta de entrada - (Medido en Faradio) - La capacitancia de la puerta de entrada en CMOS se refiere a la capacitancia entre los terminales de entrada de un circuito CMOS y el potencial de referencia (generalmente tierra).
Ancho de la puerta - (Medido en Metro) - El ancho de la compuerta se refiere a la distancia entre el borde de un electrodo de compuerta metálica y el material semiconductor adyacente en un CMOS.
Longitud de la puerta - (Medido en Metro) - La longitud de la puerta es la medida o extensión de algo de un extremo a otro.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Espesor de la capa de óxido: 4.98 Milímetro --> 0.00498 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Capacitancia de la puerta de entrada: 60.01 Microfaradio --> 6.001E-05 Faradio (Verifique la conversión ​aquí)
Ancho de la puerta: 0.285 Milímetro --> 0.000285 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Longitud de la puerta: 7 Milímetro --> 0.007 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
εox = tox*Cin/(Wg*Lg) --> 0.00498*6.001E-05/(0.000285*0.007)
Evaluar ... ...
εox = 0.149799398496241
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.149799398496241 farad por metro -->149.799398496241 Microfaradio por milímetro (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
149.799398496241 149.7994 Microfaradio por milímetro <-- Permitividad de la capa de óxido
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Características del circuito CMOS Calculadoras

Ancho de difusión de la fuente
​ LaTeX ​ Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente
Área de difusión de fuentes
​ LaTeX ​ Vamos Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición
CMOS significa ruta libre
​ LaTeX ​ Vamos Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico
Voltaje crítico CMOS
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio

Permitividad de la capa de óxido Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Permitividad de la capa de óxido = Espesor de la capa de óxido*Capacitancia de la puerta de entrada/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)
εox = tox*Cin/(Wg*Lg)

¿Cuáles son las regiones de operación en los transistores MOS?

Los transistores MOS tienen tres regiones de operación que incluyen, región de corte o subumbral, región lineal y región de saturación.

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