Capacitancia de óxido de NMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Capacitancia de óxido = (3.45*10^(-11))/Espesor de óxido
Cox = (3.45*10^(-11))/tox
Esta fórmula usa 2 Variables
Variables utilizadas
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.
Espesor de óxido - (Medido en Metro) - El espesor del óxido se refiere al espesor de una capa delgada de material de óxido que se forma en la superficie de un sustrato, generalmente un material semiconductor como el silicio.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Espesor de óxido: 17 Micrómetro --> 1.7E-05 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Cox = (3.45*10^(-11))/tox --> (3.45*10^(-11))/1.7E-05
Evaluar ... ...
Cox = 2.02941176470588E-06
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
2.02941176470588E-06 Faradio -->2.02941176470588 Microfaradio (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
2.02941176470588 2.029412 Microfaradio <-- Capacitancia de óxido
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Mejora del canal N Calculadoras

Fuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS
​ LaTeX ​ Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2)
Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta
​ LaTeX ​ Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje^2)
NMOS como resistencia lineal
​ LaTeX ​ Vamos Resistencia lineal = Longitud del Canal/(Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Capacitancia de óxido*Ancho de canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral))
Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS
​ LaTeX ​ Vamos Velocidad de deriva de electrones = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal

Capacitancia de óxido de NMOS Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Capacitancia de óxido = (3.45*10^(-11))/Espesor de óxido
Cox = (3.45*10^(-11))/tox

¿Qué es la capacitancia de óxido?

Es la relación de e permitividad del dióxido de silicio que es 3.45 × 10

Explique todo el proceso de la región del canal del MOSFET que forma un capacitor de placas paralelas.

La puerta y la región del canal del MOSFET forman un capacitor de placas paralelas, con la capa de óxido actuando como el dieléctrico del capacitor. El voltaje de puerta positivo hace que se acumule una carga positiva en la placa superior del capacitor (el electrodo de puerta). La carga negativa correspondiente en la placa inferior está formada por los electrones en el canal inducido. Por tanto, se desarrolla un campo eléctrico en dirección vertical. Es este campo el que controla la cantidad de carga en el canal y, por lo tanto, determina la conductividad del canal y, a su vez, la corriente que fluirá a través del canal cuando se aplica un voltaje.

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