Capacitancia de óxido después de VLSI de escala completa Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Capacitancia de óxido después del escalado completo = Capacitancia de óxido por unidad de área*Factor de escala
Coxide' = Coxide*Sf
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Capacitancia de óxido después del escalado completo - (Medido en Farad por metro cuadrado) - La capacitancia de óxido después del escalamiento completo se refiere a una nueva capacitancia después de reducir las dimensiones del MOSFET mediante el escalamiento completo.
Capacitancia de óxido por unidad de área - (Medido en Farad por metro cuadrado) - La capacitancia de óxido por unidad de área se define como la capacitancia por unidad de área de la capa de óxido aislante que separa la puerta metálica del material semiconductor.
Factor de escala - El factor de escala se define como la relación por la cual las dimensiones del transistor cambian durante el proceso de diseño.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Capacitancia de óxido por unidad de área: 0.0703 Microfaradio por centímetro cuadrado --> 0.000703 Farad por metro cuadrado (Verifique la conversión ​aquí)
Factor de escala: 1.5 --> No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Coxide' = Coxide*Sf --> 0.000703*1.5
Evaluar ... ...
Coxide' = 0.0010545
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.0010545 Farad por metro cuadrado -->0.10545 Microfaradio por centímetro cuadrado (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
0.10545 Microfaradio por centímetro cuadrado <-- Capacitancia de óxido después del escalado completo
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Priyanka Patel
Facultad de ingeniería Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad
¡Priyanka Patel ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore
¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Optimización de materiales VLSI Calculadoras

Coeficiente de efecto corporal
​ LaTeX ​ Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))
Coeficiente DIBL
​ LaTeX ​ Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial
Carga de canal
​ LaTeX ​ Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)
Voltaje crítico
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal

Capacitancia de óxido después de VLSI de escala completa Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Capacitancia de óxido después del escalado completo = Capacitancia de óxido por unidad de área*Factor de escala
Coxide' = Coxide*Sf
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