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Calculadora Capacitancia de óxido después de VLSI de escala completa

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✖La capacitancia de óxido por unidad de área se define como la capacitancia por unidad de área de la capa de óxido aislante que separa la puerta metálica del material semiconductor.ⓘ Capacitancia de óxido por unidad de área [C_oxide]			+10% -10%
✖El factor de escala se define como la relación por la cual las dimensiones del transistor cambian durante el proceso de diseño.ⓘ Factor de escala [Sf]			+10% -10%

✖La capacitancia de óxido después del escalamiento completo se refiere a una nueva capacitancia después de reducir las dimensiones del MOSFET mediante el escalamiento completo.ⓘ Capacitancia de óxido después de VLSI de escala completa [C_oxide']

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Capacitancia de óxido después de VLSI de escala completa Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia de óxido después del escalado completo = Capacitancia de óxido por unidad de área*Factor de escala
C_oxide' = C_oxide*Sf
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Capacitancia de óxido después del escalado completo - (Medido en Farad por metro cuadrado) - La capacitancia de óxido después del escalamiento completo se refiere a una nueva capacitancia después de reducir las dimensiones del MOSFET mediante el escalamiento completo.
Capacitancia de óxido por unidad de área - (Medido en Farad por metro cuadrado) - La capacitancia de óxido por unidad de área se define como la capacitancia por unidad de área de la capa de óxido aislante que separa la puerta metálica del material semiconductor.
Factor de escala - El factor de escala se define como la relación por la cual las dimensiones del transistor cambian durante el proceso de diseño.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Capacitancia de óxido por unidad de área: 0.0703 Microfaradio por centímetro cuadrado --> 0.000703 Farad por metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)
Factor de escala: 1.5 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_oxide' = C_oxide*Sf --> 0.000703*1.5

Evaluar ... ...

C_oxide' = 0.0010545

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.0010545 Farad por metro cuadrado -->0.10545 Microfaradio por centímetro cuadrado (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.10545 Microfaradio por centímetro cuadrado <-- Capacitancia de óxido después del escalado completo

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Priyanka Patel

Facultad de ingeniería Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

¡Priyanka Patel ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Coeficiente de efecto corporal

LaTeX Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial

Carga de canal

LaTeX Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje crítico

LaTeX Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal

Capacitancia de óxido después de VLSI de escala completa Fórmula

LaTeX Vamos

Capacitancia de óxido después del escalado completo = Capacitancia de óxido por unidad de área*Factor de escala
C_oxide' = C_oxide*Sf

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