Calculadora Capacitancia de superposición de MOSFET

✖El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).ⓘ Ancho de banda [W_c]			+10% -10%
✖La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.ⓘ Capacitancia de óxido [C_ox]			+10% -10%
✖La longitud de superposición es la distancia promedio que los portadores sobrantes pueden cubrir antes de recombinarse.ⓘ Longitud de superposición [L_ov]			+10% -10%

✖La capacitancia de superposición se refiere a la capacitancia que surge entre dos regiones conductoras muy próximas entre sí, pero no conectadas directamente.ⓘ Capacitancia de superposición de MOSFET [C_oc]

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Capacitancia de superposición de MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia de superposición = Ancho de banda*Capacitancia de óxido*Longitud de superposición
C_oc = W_c*C_ox*L_ov
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Capacitancia de superposición - (Medido en Faradio) - La capacitancia de superposición se refiere a la capacitancia que surge entre dos regiones conductoras muy próximas entre sí, pero no conectadas directamente.
Ancho de banda - (Medido en Metro) - El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.
Longitud de superposición - (Medido en Metro) - La longitud de superposición es la distancia promedio que los portadores sobrantes pueden cubrir antes de recombinarse.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Ancho de banda: 10 Micrómetro --> 1E-05 Metro (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de óxido: 940 Microfaradio --> 0.00094 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Longitud de superposición: 40.6 Micrómetro --> 4.06E-05 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_oc = W_c*C_ox*L_ov --> 1E-05*0.00094*4.06E-05

Evaluar ... ...

C_oc = 3.8164E-13

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

3.8164E-13 Faradio -->3.8164E-07 Microfaradio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

3.8164E-07 ≈ 3.8E-7 Microfaradio <-- Capacitancia de superposición

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnología (LIENDRE), Hamirpur

¡Anshika Arya ha verificado esta calculadora y 2500+ más calculadoras!

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Frecuencia de transición de MOSFET

LaTeX Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))

Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET

LaTeX Vamos Ancho de banda = Capacitancia de superposición/(Capacitancia de óxido*Longitud de superposición)

Capacitancia de superposición de MOSFET

LaTeX Vamos Capacitancia de superposición = Ancho de banda*Capacitancia de óxido*Longitud de superposición

Capacitancia total entre puerta y canal de MOSFET

LaTeX Vamos Capacitancia del canal de puerta = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal

Capacitancia de superposición de MOSFET Fórmula

LaTeX Vamos

Capacitancia de superposición = Ancho de banda*Capacitancia de óxido*Longitud de superposición
C_oc = W_c*C_ox*L_ov

¿Cómo actúa el MOSFET como condensador?

En pocas palabras, el DRENAJE y la FUENTE del MOSFET actúan como placas conductoras en un condensador debido a la puerta aislada. Los MOSFET se comportan como dispositivos electroconductores, que es el equivalente a una capacitancia controlada por voltaje.

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