Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Voltaje efectivo = sqrt(2*Corriente de drenaje de saturación/(Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)))
Vov = sqrt(2*ids/(k'n*(Wc/L)))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables
Funciones utilizadas
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
Voltaje efectivo - (Medido en Voltio) - El voltaje efectivo o voltaje de sobreexcitación se denomina exceso de voltaje a través del óxido sobre el voltaje térmico.
Corriente de drenaje de saturación - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje de saturación se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.
Parámetro de transconductancia del proceso - (Medido en Amperio por voltio cuadrado) - El parámetro de transconductancia del proceso es el producto de la movilidad de los electrones en el canal y la capacitancia del óxido.
Ancho del canal - (Medido en Metro) - El ancho del canal es la dimensión del canal de MOSFET.
Longitud del canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal, L, que es la distancia entre las dos uniones -p.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Corriente de drenaje de saturación: 4.721 Miliamperio --> 0.004721 Amperio (Verifique la conversión ​aquí)
Parámetro de transconductancia del proceso: 0.2 Amperio por voltio cuadrado --> 0.2 Amperio por voltio cuadrado No se requiere conversión
Ancho del canal: 10.15 Micrómetro --> 1.015E-05 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Longitud del canal: 3.25 Micrómetro --> 3.25E-06 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Vov = sqrt(2*ids/(k'n*(Wc/L))) --> sqrt(2*0.004721/(0.2*(1.015E-05/3.25E-06)))
Evaluar ... ...
Vov = 0.122949186508306
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.122949186508306 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.122949186508306 0.122949 Voltio <-- Voltaje efectivo
(Cálculo completado en 00.005 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Características del amplificador de transistores Calculadoras

Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido
​ LaTeX ​ Vamos Corriente de salida = (Movilidad del electrón*Capacitancia de óxido*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral))*Voltaje de saturación entre drenaje y fuente
Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación
​ LaTeX ​ Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje efectivo)^2
Voltaje de drenaje instantáneo total
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje total de drenaje instantáneo = Voltaje del componente fundamental-Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje
Voltaje de entrada en transistor
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje del componente fundamental = Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje-Voltaje total de drenaje instantáneo

Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Voltaje efectivo = sqrt(2*Corriente de drenaje de saturación/(Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)))
Vov = sqrt(2*ids/(k'n*(Wc/L)))

¿Cuál es la diferencia entre impedancia y resistencia?

La resistencia se define simplemente como la oposición al flujo de corriente eléctrica en el circuito. La impedancia es oposición al flujo de corriente alterna debido a tres componentes que son resistivos, inductivos o capacitivos. Es una combinación de resistencia y reactancia en un circuito.

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