✖La corriente de drenaje de saturación se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.ⓘ Corriente de drenaje de saturación [ids] | | | +10% -10% |
✖El parámetro de transconductancia del proceso es el producto de la movilidad de los electrones en el canal y la capacitancia del óxido.ⓘ Parámetro de transconductancia del proceso [k'n] | | | +10% -10% |
✖El ancho del canal es la dimensión del canal de MOSFET.ⓘ Ancho del canal [Wc] | | | +10% -10% |
✖La longitud del canal, L, que es la distancia entre las dos uniones -p.ⓘ Longitud del canal [L] | | | +10% -10% |