Resistencia de salida de la fuente de corriente NMOS dada la corriente de drenaje Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Resistencia de salida = Parámetro del dispositivo/Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal
Rout = VA/ID'
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Resistencia de salida - (Medido en Ohm) - La resistencia de salida se refiere a la resistencia de un circuito electrónico al flujo de corriente cuando se conecta una carga a su salida.
Parámetro del dispositivo - (Medido en Voltio) - El parámetro del dispositivo es el parámetro utilizado en el cálculo relacionado con MOSFET. VA es proporcional a la longitud del canal L que el diseñador selecciona para un MOSFET.
Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal significa que la corriente de drenaje de la región de saturación aumentará ligeramente a medida que aumente el voltaje de drenaje a fuente.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Parámetro del dispositivo: 4 Voltio --> 4 Voltio No se requiere conversión
Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal: 3.2 Miliamperio --> 0.0032 Amperio (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Rout = VA/ID' --> 4/0.0032
Evaluar ... ...
Rout = 1250
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
1250 Ohm -->1.25 kilohmios (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
1.25 kilohmios <-- Resistencia de salida
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Mejora del canal N Calculadoras

Fuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS
​ LaTeX ​ Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2)
Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta
​ LaTeX ​ Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje^2)
NMOS como resistencia lineal
​ LaTeX ​ Vamos Resistencia lineal = Longitud del Canal/(Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Capacitancia de óxido*Ancho de canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral))
Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS
​ LaTeX ​ Vamos Velocidad de deriva de electrones = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal

Resistencia de salida de la fuente de corriente NMOS dada la corriente de drenaje Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Resistencia de salida = Parámetro del dispositivo/Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal
Rout = VA/ID'

¿Qué es un MOSFET y cómo funciona?

En general, el MOSFET funciona como un interruptor, el MOSFET controla el voltaje y el flujo de corriente entre la fuente y el drenaje. El funcionamiento del MOSFET depende del capacitor MOS, que es la superficie semiconductora debajo de las capas de óxido entre la fuente y el terminal de drenaje.

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