Calculadora Ganancia de voltaje en cascodo bipolar de circuito abierto

Ganancia de voltaje en cascodo bipolar = -Transconductancia primaria MOSFET*(Transconductancia secundaria MOSFET*Resistencia de salida finita)*(1/Resistencia de salida finita del transistor 1+1/Resistencia de entrada de señal pequeña)^-1
A_fo = -g_mp*(g_ms*R_out)*(1/R_out1+1/R_sm)^-1
Esta fórmula usa 6 Variables
Ganancia de voltaje en cascodo bipolar - La ganancia de voltaje en cascodo bipolar se refiere a un tipo de configuración de amplificador que utiliza dos transistores en una configuración en cascodo para lograr una ganancia de voltaje mayor que un amplificador de un solo transistor.
Transconductancia primaria MOSFET - (Medido en Siemens) - La transconductancia primaria MOSFET es el cambio en la corriente de drenaje dividido por el pequeño cambio en el voltaje de puerta/fuente con un voltaje de drenaje/fuente constante.
Transconductancia secundaria MOSFET - (Medido en Siemens) - La transconductancia secundaria MOSFET es el cambio en la corriente de drenaje dividido por el pequeño cambio en el voltaje de puerta/fuente con un voltaje de drenaje/fuente constante.
Resistencia de salida finita - (Medido en Ohm) - La resistencia de salida finita es una medida de cuánto varía la impedancia de salida del transistor con los cambios en el voltaje de salida.
Resistencia de salida finita del transistor 1 - (Medido en Ohm) - La resistencia de salida finita del transistor 1 es una medida de cuánto varía la impedancia de salida del transistor con los cambios en el voltaje de salida.
Resistencia de entrada de señal pequeña - (Medido en Ohm) - La resistencia de entrada de señal pequeña 2 entre la base y el emisor modela cómo cambia la impedancia de entrada entre las terminales de la base y el emisor del transistor cuando se aplica una pequeña señal de CA.

(Cálculo completado en 00.004 segundos)