✖Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.ⓘ Cargar [q] | | | +10% -10% |
✖La movilidad del silicio con dopaje electrónico caracteriza la rapidez con la que un electrón puede moverse a través de un metal o semiconductor cuando es atraído por un campo eléctrico.ⓘ Movilidad del silicio con dopaje electrónico [μn] | | | +10% -10% |
✖La concentración de electrones está influenciada por varios factores, como la temperatura, las impurezas o dopantes agregados al material semiconductor y los campos eléctricos o magnéticos externos.ⓘ Concentración de electrones [ne] | | | +10% -10% |
✖La movilidad del silicio con dopaje de huecos es la capacidad de un hueco de viajar a través de un metal o semiconductor en presencia de un campo eléctrico aplicado.ⓘ Movilidad de silicio con dopaje de orificios [μp] | | | +10% -10% |
✖La concentración de huecos implica una mayor cantidad de portadores de carga disponibles en el material, lo que afecta su conductividad y varios dispositivos semiconductores.ⓘ Concentración de agujeros [p] | | | +10% -10% |