NMOS como resistencia lineal Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Resistencia lineal = Longitud del Canal/(Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Capacitancia de óxido*Ancho de canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral))
rDS = L/(μn*Cox*Wc*(Vgs-VT))
Esta fórmula usa 7 Variables
Variables utilizadas
Resistencia lineal - (Medido en Ohm) - La resistencia lineal actúa como resistencia variable en la región lineal y como fuente de corriente en la región de saturación.
Longitud del Canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal se puede definir como la distancia entre sus puntos inicial y final, y puede variar mucho según su propósito y ubicación.
Movilidad de los electrones en la superficie del canal - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad de los electrones en la superficie del canal se refiere a la capacidad de los electrones para moverse o conducir dentro de la capa superficial de un material cuando se someten a un campo eléctrico.
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.
Ancho de canal - (Medido en Metro) - El ancho de canal se refiere a la cantidad de ancho de banda disponible para transmitir datos dentro de un canal de comunicación.
Voltaje de fuente de puerta - (Medido en Voltio) - El voltaje de fuente de puerta es el voltaje que cae a través del terminal de fuente de puerta del transistor.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Longitud del Canal: 3 Micrómetro --> 3E-06 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Movilidad de los electrones en la superficie del canal: 2.2 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 2.2 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Capacitancia de óxido: 2.02 Microfaradio --> 2.02E-06 Faradio (Verifique la conversión ​aquí)
Ancho de canal: 10 Micrómetro --> 1E-05 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Voltaje de fuente de puerta: 10.3 Voltio --> 10.3 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de umbral: 1.82 Voltio --> 1.82 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
rDS = L/(μn*Cox*Wc*(Vgs-VT)) --> 3E-06/(2.2*2.02E-06*1E-05*(10.3-1.82))
Evaluar ... ...
rDS = 7960.70173055041
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
7960.70173055041 Ohm -->7.96070173055041 kilohmios (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
7.96070173055041 7.960702 kilohmios <-- Resistencia lineal
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Mejora del canal N Calculadoras

Fuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS
​ LaTeX ​ Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2)
Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta
​ LaTeX ​ Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje^2)
NMOS como resistencia lineal
​ LaTeX ​ Vamos Resistencia lineal = Longitud del Canal/(Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Capacitancia de óxido*Ancho de canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral))
Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS
​ LaTeX ​ Vamos Velocidad de deriva de electrones = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal

NMOS como resistencia lineal Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Resistencia lineal = Longitud del Canal/(Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Capacitancia de óxido*Ancho de canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral))
rDS = L/(μn*Cox*Wc*(Vgs-VT))

¿Cuál es la condición para usar el MOSFET como resistencia lineal?

Cuando aumenta lentamente el voltaje de la puerta, el MOSFET comienza a conducir lentamente al ingresar a la región lineal donde comienza a desarrollar un voltaje a través de él que llamamos V

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