MCD de tres números

Calculadora Distribución neta de cargo

Ingenieria Financiero Física Mates Más >>

↳

Electrónica Ciencia de los Materiales Civil Eléctrico Más >>

⤿

Dispositivos de estado sólido Amplificadores Antena y propagación de ondas Circuitos integrados (CI)Más >>

⤿

Unión SSD Banda de energía y portador de carga Electrones y agujeros Portadores de semiconductores

✖La concentración donante se refiere a la concentración o densidad de los átomos donantes en un material semiconductor.ⓘ Concentración de donantes [N_d]			+10% -10%
✖La concentración del aceptor es la concentración de un átomo aceptor o dopante que, cuando se sustituye en una red semiconductora, forma una región de tipo p.ⓘ Concentración del aceptor [N_a]			+10% -10%
✖Graded Constant da la pendiente de la distribución neta de impurezas. Es la tasa entre diferentes concentraciones de dopaje en una región graduada cerca de un cruce.ⓘ Constante graduada [G]			+10% -10%

✖La distribución neta es una representación espacial o numérica de la cantidad o concentración neta de una entidad o propiedad específica.ⓘ Distribución neta de cargo [x]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Unión SSD Fórmulas PDF PDF Image

Distribución neta de cargo Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Distribución neta = (Concentración de donantes-Concentración del aceptor)/Constante graduada
x = (N_d-N_a)/G
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Distribución neta - La distribución neta es una representación espacial o numérica de la cantidad o concentración neta de una entidad o propiedad específica.
Concentración de donantes - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración donante se refiere a la concentración o densidad de los átomos donantes en un material semiconductor.
Concentración del aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del aceptor es la concentración de un átomo aceptor o dopante que, cuando se sustituye en una red semiconductora, forma una región de tipo p.
Constante graduada - Graded Constant da la pendiente de la distribución neta de impurezas. Es la tasa entre diferentes concentraciones de dopaje en una región graduada cerca de un cruce.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Concentración de donantes: 2.5E+35 1 por metro cúbico --> 2.5E+35 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración del aceptor: 7.9E+35 1 por metro cúbico --> 7.9E+35 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Constante graduada: 7.2E+36 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

x = (N_d-N_a)/G --> (2.5E+35-7.9E+35)/7.2E+36

Evaluar ... ...

x = -0.075

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

-0.075 --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

-0.075 <-- Distribución neta

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » Dispositivos de estado sólido » Unión SSD » Distribución neta de cargo

Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< Unión SSD Calculadoras

Capacitancia de unión

LaTeX Vamos Capacitancia de unión = (Área de unión/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Compensación de longitud constante*Dopaje Concentración de Base)/(Voltaje de fuente-Voltaje de fuente 1))

Resistencia en serie en tipo P

LaTeX Vamos Resistencia en serie en la unión P = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión N

Voltaje de unión

LaTeX Vamos Voltaje de unión = Voltaje de fuente-(Resistencia en serie en la unión P+Resistencia en serie en la unión N)*Corriente eléctrica

Ancho tipo N

LaTeX Vamos Penetración de carga tipo N = Cargo total del aceptador/(Área de unión*Concentración del aceptor*[Charge-e])

Distribución neta de cargo Fórmula

LaTeX Vamos

Distribución neta = (Concentración de donantes-Concentración del aceptor)/Constante graduada
x = (N_d-N_a)/G

¿Cómo se forma una unión semiconductora?

Las uniones Pn se forman uniendo materiales semiconductores tipo n y tipo p, como se muestra a continuación. Dado que la región de tipo n tiene una alta concentración de electrones y la de tipo p una alta concentración de huecos, los electrones se difunden desde el lado de tipo n hacia el lado de tipo p.

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!