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Calculadora Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

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✖La transconductancia en MOSFET es un parámetro clave que describe la relación entre el voltaje de entrada y la corriente de salida.ⓘ Transconductancia en MOSFET [g_m]			+10% -10%
✖La capacitancia de fuente de puerta se refiere a la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un transistor de efecto de campo (FET).ⓘ Capacitancia de la fuente de puerta [C_gs]			+10% -10%
✖La capacitancia de drenaje de compuerta se refiere a la capacitancia entre la compuerta y los terminales de drenaje del dispositivo.ⓘ Capacitancia de drenaje de compuerta [C_gd]			+10% -10%

✖La frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET se refiere a la frecuencia a la que la ganancia de voltaje del dispositivo cae a 1 (0 dB) en una configuración de fuente común con una carga resistiva.ⓘ Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET [f_t]

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Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET - (Medido en hercios) - La frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET se refiere a la frecuencia a la que la ganancia de voltaje del dispositivo cae a 1 (0 dB) en una configuración de fuente común con una carga resistiva.
Transconductancia en MOSFET - (Medido en Siemens) - La transconductancia en MOSFET es un parámetro clave que describe la relación entre el voltaje de entrada y la corriente de salida.
Capacitancia de la fuente de puerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia de fuente de puerta se refiere a la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un transistor de efecto de campo (FET).
Capacitancia de drenaje de compuerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia de drenaje de compuerta se refiere a la capacitancia entre la compuerta y los terminales de drenaje del dispositivo.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Transconductancia en MOSFET: 2.2 Siemens --> 2.2 Siemens No se requiere conversión
Capacitancia de la fuente de puerta: 56 Microfaradio --> 5.6E-05 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de drenaje de compuerta: 2.8 Microfaradio --> 2.8E-06 Faradio (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

f_t = g_m/(C_gs+C_gd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)

Evaluar ... ...

f_t = 37414.9659863946

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

37414.9659863946 hercios -->37.4149659863946 Kilohercio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

37.4149659863946 ≈ 37.41497 Kilohercio <-- Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Efecto corporal en MOSFET

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Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

LaTeX Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)

Resistencia del canal

LaTeX Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)

Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET Fórmula

LaTeX Vamos

Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)

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