Calculadora Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido

Transconductancia en MOSFET = sqrt(2*Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido*(Ancho del transistor/Longitud del transistor)*Corriente de drenaje)
g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 6 Variables
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)Transconductancia en MOSFET - (Medido en Siemens) - La transconductancia en MOSFET es un parámetro clave que describe la relación entre el voltaje de entrada y la corriente de salida.
Movilidad electrónica - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad electrónica describe la rapidez con la que los electrones pueden moverse a través del material en respuesta a un campo eléctrico.
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.
Ancho del transistor - (Medido en Metro) - El ancho del transistor se refiere al ancho de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.
Longitud del transistor - (Medido en Metro) - La longitud del transistor se refiere a la longitud de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.
Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje se refiere a la corriente que fluye entre los terminales de fuente y drenaje del transistor cuando está en funcionamiento.

(Cálculo completado en 00.004 segundos)