Calculadora Transconductancia MOSFET

✖El cambio en la corriente de drenaje indica el cambio en la capacidad de conducción de corriente del chip de silicio; se puede utilizar como guía al comparar diferentes dispositivos.ⓘ Cambio en la corriente de drenaje [ΔI_d]			+10% -10%
✖El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.ⓘ Voltaje puerta-fuente [V_gs]			+10% -10%

✖La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.ⓘ Transconductancia MOSFET [g_m]

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Transconductancia MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Transconductancia = Cambio en la corriente de drenaje/Voltaje puerta-fuente
g_m = ΔI_d/V_gs
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.
Cambio en la corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - El cambio en la corriente de drenaje indica el cambio en la capacidad de conducción de corriente del chip de silicio; se puede utilizar como guía al comparar diferentes dispositivos.
Voltaje puerta-fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Cambio en la corriente de drenaje: 2 Miliamperio --> 0.002 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Voltaje puerta-fuente: 4 Voltio --> 4 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

g_m = ΔI_d/V_gs --> 0.002/4

Evaluar ... ...

g_m = 0.0005

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.0005 Siemens -->0.5 milisiemens (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.5 milisiemens <-- Transconductancia

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Prahalad Singh

Escuela de Ingeniería y Centro de Investigación de Jaipur (JECRC), Jaipur

¡Prahalad Singh ha verificado esta calculadora y 10+ más calculadoras!

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Transconductancia dada Proceso Parámetro de transconductancia

LaTeX Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)

Transconductancia dada corriente de drenaje

LaTeX Vamos Transconductancia = sqrt(2*Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*Corriente de drenaje)

Transconductancia utilizando el parámetro de transconductancia del proceso y el voltaje de sobremarcha

LaTeX Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*Voltaje de sobremarcha

Drenar corriente usando transconductancia

LaTeX Vamos Corriente de drenaje = (Voltaje de sobremarcha)*Transconductancia/2

Transconductancia MOSFET Fórmula

LaTeX Vamos

Transconductancia = Cambio en la corriente de drenaje/Voltaje puerta-fuente
g_m = ΔI_d/V_gs

¿Cuál es el uso de la transconductancia en MOSFET?

La transconductancia es una expresión del rendimiento de un transistor bipolar o transistor de efecto de campo (FET). En general, cuanto mayor es la cifra de transconductancia de un dispositivo, mayor es la ganancia (amplificación) que es capaz de entregar, cuando todos los demás factores se mantienen constantes.

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