Movilidad en Mosfet Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Movilidad en MOSFET = k primer/Capacitancia de la capa de óxido de puerta
μeff = Kp/Cox
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Movilidad en MOSFET - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad en MOSFET se define en función de la capacidad de un electrón de moverse rápidamente a través de un metal o semiconductor, cuando es atraído por un campo eléctrico.
k primer - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - K Prime es la constante de velocidad inversa de la reacción.
Capacitancia de la capa de óxido de puerta - (Medido en Farad por metro cuadrado) - La capacitancia de la capa de óxido de puerta se define como la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
k primer: 4.502 centímetro cuadrado por segundo voltio --> 0.0004502 Metro cuadrado por voltio por segundo (Verifique la conversión ​aquí)
Capacitancia de la capa de óxido de puerta: 29.83 Microfaradio por milímetro cuadrado --> 29.83 Farad por metro cuadrado (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
μeff = Kp/Cox --> 0.0004502/29.83
Evaluar ... ...
μeff = 1.50921890714046E-05
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
1.50921890714046E-05 Metro cuadrado por voltio por segundo -->0.150921890714046 centímetro cuadrado por segundo voltio (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
0.150921890714046 0.150922 centímetro cuadrado por segundo voltio <-- Movilidad en MOSFET
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Optimización de materiales VLSI Calculadoras

Coeficiente de efecto corporal
​ LaTeX ​ Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))
Coeficiente DIBL
​ LaTeX ​ Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial
Carga de canal
​ LaTeX ​ Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)
Voltaje crítico
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal

Movilidad en Mosfet Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Movilidad en MOSFET = k primer/Capacitancia de la capa de óxido de puerta
μeff = Kp/Cox

¿Cómo afecta la movilidad al funcionamiento de CMOS?

La movilidad en CMOS se refiere al movimiento de los portadores de carga (electrones y huecos) en los canales del transistor. Afecta la ganancia y el inventario de corriente del transistor, de ahí el funcionamiento general del circuito CMOS. La movilidad determina la velocidad de conmutación y el voltaje de puerta aplicable de un transistor CMOS.

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