Capacitancia Miller de Mosfet Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Capacitancia de Miller = Capacitancia de drenaje de puerta*(Ganancia de voltaje+1)
Cin = Cgd*(Av+1)
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Capacitancia de Miller - (Medido en Faradio) - La capacitancia Miller es la capacitancia de entrada equivalente de un amplificador MOSFET debido al efecto Miller.
Capacitancia de drenaje de puerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia de puerta-drenaje es una capacitancia parásita que existe entre la puerta y los electrodos de drenaje de un transistor de efecto de campo (FET).
Ganancia de voltaje - La ganancia de voltaje es una medida de la amplificación de una señal eléctrica por un amplificador. Es la relación entre el voltaje de salida y el voltaje de entrada del circuito, expresado en decibeles (dB).
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Capacitancia de drenaje de puerta: 7 Microfaradio --> 7E-06 Faradio (Verifique la conversión ​aquí)
Ganancia de voltaje: 0.026 --> No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Cin = Cgd*(Av+1) --> 7E-06*(0.026+1)
Evaluar ... ...
Cin = 7.182E-06
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
7.182E-06 Faradio -->7.182 Microfaradio (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
7.182 Microfaradio <-- Capacitancia de Miller
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Suma Madhuri
Universidad VIT (VIT), Chennai
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Verifier Image
Verificada por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore
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Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Frecuencia de transición de MOSFET
​ Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET
​ Vamos Ancho de banda = Capacitancia de superposición/(Capacitancia de óxido*Longitud de superposición)
Capacitancia de superposición de MOSFET
​ Vamos Capacitancia de superposición = Ancho de banda*Capacitancia de óxido*Longitud de superposición
Capacitancia total entre puerta y canal de MOSFET
​ Vamos Capacitancia del canal de puerta = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal

Capacitancia Miller de Mosfet Fórmula

Capacitancia de Miller = Capacitancia de drenaje de puerta*(Ganancia de voltaje+1)
Cin = Cgd*(Av+1)
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