Calculadora MCM

Calculadora Tiempo medio gastado por hoyo

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Electrones y agujeros Banda de energía y portador de carga Portadores de semiconductores Unión SSD

✖Generación óptica Valora el número de electrones generados en cada punto del dispositivo debido a la absorción de fotones.ⓘ Tasa de generación óptica [g_op]			+10% -10%
✖El decaimiento del portador mayoritario se refiere a la velocidad a la que el voltaje decae y está determinada por la cantidad de portadores minoritarios que se recombinan por unidad de tiempo.ⓘ Decaimiento de portador mayoritario [τ_p]			+10% -10%

✖El tiempo medio empleado por el agujero se define como el tiempo total que tarda el agujero en recombinarse con el portador de carga.ⓘ Tiempo medio gastado por hoyo [δ_p]

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Tiempo medio gastado por hoyo Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Tiempo medio gastado por hoyo = Tasa de generación óptica*Decaimiento de portador mayoritario
δ_p = g_op*τ_p
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Tiempo medio gastado por hoyo - (Medido en Segundo) - El tiempo medio empleado por el agujero se define como el tiempo total que tarda el agujero en recombinarse con el portador de carga.
Tasa de generación óptica - Generación óptica Valora el número de electrones generados en cada punto del dispositivo debido a la absorción de fotones.
Decaimiento de portador mayoritario - El decaimiento del portador mayoritario se refiere a la velocidad a la que el voltaje decae y está determinada por la cantidad de portadores minoritarios que se recombinan por unidad de tiempo.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Tasa de generación óptica: 2.9E+19 --> No se requiere conversión
Decaimiento de portador mayoritario: 2.8E-16 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

δ_p = g_op*τ_p --> 2.9E+19*2.8E-16

Evaluar ... ...

δ_p = 8120

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

8120 Segundo --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

8120 Segundo <-- Tiempo medio gastado por hoyo

(Cálculo completado en 00.013 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< Electrones y agujeros Calculadoras

Componente de agujero

LaTeX Vamos Componente de agujero = Componente de electrones*Eficiencia de inyección del emisor/(1-Eficiencia de inyección del emisor)

Componente de electrones

LaTeX Vamos Componente de electrones = ((Componente de agujero)/Eficiencia de inyección del emisor)-Componente de agujero

Electrón fuera de la región

LaTeX Vamos Número de electrones fuera de la región = Multiplicación de electrones*Número de electrones en la región

electrón en la región

LaTeX Vamos Número de electrones en la región = Número de electrones fuera de la región/Multiplicación de electrones

< Portadores de semiconductores Calculadoras

Función Fermi

LaTeX Vamos Función de Fermi = Concentración de electrones en banda de conducción/Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción

Coeficiente de distribución

LaTeX Vamos Coeficiente de distribución = Concentración de impurezas en sólidos/Concentración de impurezas en líquido

Energía de banda de conducción

LaTeX Vamos Energía de banda de conducción = Brecha de energía+Energía de la banda de valencia

Energía de fotoelectrones

LaTeX Vamos Energía de fotoelectrones = [hP]*Frecuencia de luz incidente

Tiempo medio gastado por hoyo Fórmula

LaTeX Vamos

Tiempo medio gastado por hoyo = Tasa de generación óptica*Decaimiento de portador mayoritario
δ_p = g_op*τ_p

¿Qué es la densidad de electrones?

La densidad electrónica o densidad electrónica es la medida de la probabilidad de que un electrón esté presente en un elemento infinitesimal del espacio que rodea cualquier punto dado.

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