Calculadora Frecuencia máxima de oscilaciones en MESFET

✖La frecuencia de ganancia unitaria se define como la frecuencia del amplificador cuando la ganancia de potencia es la unidad.ⓘ Frecuencia de ganancia unitaria [f_t]			+10% -10%
✖La resistencia de drenaje es la relación entre el cambio en el voltaje de drenaje a fuente y el cambio correspondiente en la corriente de drenaje para una tensión de puerta a fuente constante.ⓘ Resistencia al drenaje [R_d]			+10% -10%
✖La resistencia a la metalización de la puerta se define como la resistencia de metalización de una franja de puerta FET que tiene el efecto de colocar una resistencia no lineal en serie con la unión de la puerta.ⓘ Resistencia a la metalización de la puerta [R_g]			+10% -10%

✖La frecuencia máxima de oscilaciones se define como el límite superior práctico para el funcionamiento útil del circuito con MESFET.ⓘ Frecuencia máxima de oscilaciones en MESFET [f_m]

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Frecuencia máxima de oscilaciones en MESFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Frecuencia máxima de oscilaciones = (Frecuencia de ganancia unitaria/2)*sqrt(Resistencia al drenaje/Resistencia a la metalización de la puerta)
f_m = (f_t/2)*sqrt(R_d/R_g)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 4 Variables

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Frecuencia máxima de oscilaciones - (Medido en hercios) - La frecuencia máxima de oscilaciones se define como el límite superior práctico para el funcionamiento útil del circuito con MESFET.
Frecuencia de ganancia unitaria - (Medido en hercios) - La frecuencia de ganancia unitaria se define como la frecuencia del amplificador cuando la ganancia de potencia es la unidad.
Resistencia al drenaje - (Medido en Ohm) - La resistencia de drenaje es la relación entre el cambio en el voltaje de drenaje a fuente y el cambio correspondiente en la corriente de drenaje para una tensión de puerta a fuente constante.
Resistencia a la metalización de la puerta - (Medido en Ohm) - La resistencia a la metalización de la puerta se define como la resistencia de metalización de una franja de puerta FET que tiene el efecto de colocar una resistencia no lineal en serie con la unión de la puerta.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Frecuencia de ganancia unitaria: 10.3 hercios --> 10.3 hercios No se requiere conversión
Resistencia al drenaje: 450 Ohm --> 450 Ohm No se requiere conversión
Resistencia a la metalización de la puerta: 2.8 Ohm --> 2.8 Ohm No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

f_m = (f_t/2)*sqrt(R_d/R_g) --> (10.3/2)*sqrt(450/2.8)

Evaluar ... ...

f_m = 65.2881661777779

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

65.2881661777779 hercios --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

65.2881661777779 ≈ 65.28817 hercios <-- Frecuencia máxima de oscilaciones

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Capacitancia de la fuente de puerta

LaTeX Vamos Capacitancia de la fuente de puerta = Transconductancia/(2*pi*Frecuencia de corte)

Transconductancia en MESFET

LaTeX Vamos Transconductancia = 2*Capacitancia de la fuente de puerta*pi*Frecuencia de corte

Longitud de la puerta de MESFET

LaTeX Vamos Longitud de la puerta = Velocidad de deriva saturada/(4*pi*Frecuencia de corte)

Frecuencia de corte

LaTeX Vamos Frecuencia de corte = Velocidad de deriva saturada/(4*pi*Longitud de la puerta)

Frecuencia máxima de oscilaciones en MESFET Fórmula

LaTeX Vamos

Frecuencia máxima de oscilaciones = (Frecuencia de ganancia unitaria/2)*sqrt(Resistencia al drenaje/Resistencia a la metalización de la puerta)
f_m = (f_t/2)*sqrt(R_d/R_g)

¿Qué es MESFET?

Un MESFET (transistor de efecto de campo de semiconductor de metal) es un dispositivo semiconductor de transistor de efecto de campo similar a un JFET con una unión Schottky (semiconductor de metal) en lugar de una unión ap-n para una puerta.

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