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Calculadora Concentración máxima de dopante

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✖La concentración de referencia se refiere a una constante que sirve como concentración de referencia o de referencia.ⓘ Concentración de referencia [C_o]			+10% -10%
✖La energía de activación para la solubilidad sólida es un parámetro que caracteriza la barrera energética para incorporar átomos dopantes en la red cristalina de un material semiconductor.ⓘ Energía de activación para la solubilidad sólida [E_s]			+10% -10%
✖La temperatura absoluta es una medida de la energía térmica de un sistema y se mide en kelvins.ⓘ Temperatura absoluta [T_a]			+10% -10%

✖La concentración máxima de dopantes describe cómo la concentración de átomos dopantes en un material semiconductor disminuye exponencialmente al aumentar la temperatura.ⓘ Concentración máxima de dopante [C_s]

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Fórmula

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Concentración máxima de dopante

Fórmula

C s = C o \cdot \exp (- \frac{E s}{[BoltZ] \cdot T a})

Ejemplo

4.9E-9 electrons/cm³ = 0.005 \cdot \exp (- \frac{1E-23 J}{[BoltZ] \cdot 24.5 K})

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Concentración máxima de dopante Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Concentración máxima de dopante = Concentración de referencia*exp(-Energía de activación para la solubilidad sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))
C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a))
Esta fórmula usa 1 Constantes, 1 Funciones, 4 Variables

Constantes utilizadas

[BoltZ] - constante de Boltzmann Valor tomado como 1.38064852E-23

Funciones utilizadas

exp - En una función exponencial, el valor de la función cambia en un factor constante por cada cambio de unidad en la variable independiente., exp(Number)

Variables utilizadas

Concentración máxima de dopante - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración máxima de dopantes describe cómo la concentración de átomos dopantes en un material semiconductor disminuye exponencialmente al aumentar la temperatura.
Concentración de referencia - La concentración de referencia se refiere a una constante que sirve como concentración de referencia o de referencia.
Energía de activación para la solubilidad sólida - (Medido en Joule) - La energía de activación para la solubilidad sólida es un parámetro que caracteriza la barrera energética para incorporar átomos dopantes en la red cristalina de un material semiconductor.
Temperatura absoluta - (Medido en Kelvin) - La temperatura absoluta es una medida de la energía térmica de un sistema y se mide en kelvins.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Concentración de referencia: 0.005 --> No se requiere conversión
Energía de activación para la solubilidad sólida: 1E-23 Joule --> 1E-23 Joule No se requiere conversión
Temperatura absoluta: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a)) --> 0.005*exp(-1E-23/([BoltZ]*24.5))

Evaluar ... ...

C_s = 0.00485434780101741

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.00485434780101741 Electrones por metro cúbico -->4.85434780101741E-09 Electrones por centímetro cúbico (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

4.85434780101741E-09 ≈ 4.9E-9 Electrones por centímetro cúbico <-- Concentración máxima de dopante

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Efecto corporal en MOSFET

Vamos Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))

Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje)

Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)

Resistencia del canal

Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)

Concentración máxima de dopante Fórmula

Concentración máxima de dopante = Concentración de referencia*exp(-Energía de activación para la solubilidad sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))
C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a))

¿Dónde puedo encontrar valores para la energía de activación?

Los valores experimentales de la energía de activación se pueden encontrar en libros de texto de física de semiconductores, artículos de investigación y bases de datos de propiedades de materiales. Los investigadores a menudo informan E_s para materiales y dopantes específicos en la literatura.

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