Calculadora Profundidad máxima de agotamiento

Profundidad máxima de agotamiento = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potencial de Fermi a granel))/([Charge-e]*Concentración de dopaje del aceptor))
x_dm = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Φ_f))/([Charge-e]*N_A))
Esta fórmula usa 2 Constantes, 2 Funciones, 3 Variables
[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio Valor tomado como 11.7
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
modulus - El módulo de un número es el resto cuando ese número se divide por otro número., modulusProfundidad máxima de agotamiento - (Medido en Metro) - La profundidad máxima de agotamiento se refiere a la extensión máxima hasta la cual la región de agotamiento se extiende dentro del material semiconductor del dispositivo bajo ciertas condiciones operativas.
Potencial de Fermi a granel - (Medido en Voltio) - El potencial de Fermi en masa es un parámetro que describe el potencial electrostático en la masa (interior) de un material semiconductor.
Concentración de dopaje del aceptor - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.

(Cálculo completado en 00.020 segundos)