Calculadora Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores para tipo p

✖La concentración de portador intrínseco es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.ⓘ Concentración de portador intrínseco [n_i]			+10% -10%
✖La concentración de portadores minoritarios es el número de portadores en la banda de valencia sin sesgo aplicado externamente.ⓘ Concentración de portadores minoritarios [p₀]			+10% -10%

✖La concentración de portadores mayoritarios es el número de portadores en la banda de conducción sin polarización aplicada externamente.ⓘ Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores para tipo p [n₀]

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Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores para tipo p Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios
n₀ = n_i^2/p₀
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Concentración de portadores mayoritarios - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portadores mayoritarios es el número de portadores en la banda de conducción sin polarización aplicada externamente.
Concentración de portador intrínseco - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portador intrínseco es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.
Concentración de portadores minoritarios - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portadores minoritarios es el número de portadores en la banda de valencia sin sesgo aplicado externamente.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Concentración de portador intrínseco: 120000000 1 por metro cúbico --> 120000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración de portadores minoritarios: 91000000 1 por metro cúbico --> 91000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

n₀ = n_i^2/p₀ --> 120000000^2/91000000

Evaluar ... ...

n₀ = 158241758.241758

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

158241758.241758 1 por metro cúbico --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

158241758.241758 ≈ 1.6E+8 1 por metro cúbico <-- Concentración de portadores mayoritarios

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Akshada Kulkarni

Instituto Nacional de Tecnología de la Información (NIIT), Neemrana

¡Akshada Kulkarni ha creado esta calculadora y 500+ más calculadoras!

Verificada por Equipo Softusvista

Oficina Softusvista (Pune), India

¡Equipo Softusvista ha verificado esta calculadora y 1100+ más calculadoras!

< Características de los semiconductores Calculadoras

Conductividad en semiconductores

LaTeX Vamos Conductividad = (Densidad de electrones*[Charge-e]*Movilidad de electrones)+(Densidad de agujeros*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros)

Longitud de difusión de electrones

LaTeX Vamos Longitud de difusión de electrones = sqrt(Constante de difusión de electrones*Portador minoritario de por vida)

Nivel de Fermi de semiconductores intrínsecos

LaTeX Vamos Semiconductor intrínseco de nivel Fermi = (Energía de banda de conducción+Energía de la banda de cenefa)/2

Movilidad de los portadores de carga

LaTeX Vamos Movilidad de Portadores de Carga = Velocidad de deriva/Intensidad del campo eléctrico

Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores para tipo p Fórmula

LaTeX Vamos

Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios
n₀ = n_i^2/p₀

¿Cómo se ve afectada la concentración de portadores mayoritarios por la concentración de impurezas del donante?

la concentración de electrones portadores mayoritarios en equilibrio térmico es esencialmente igual a la concentración de impurezas donantes. Las concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios en equilibrio térmico pueden diferir en muchos órdenes de magnitud. Si la concentración de impurezas del donante no es demasiado diferente en magnitud de la concentración de portador intrínseco, la concentración de electrones del portador mayoritario en equilibrio térmico está influenciada por la concentración intrínseca.

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