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Optimización de materiales VLSI Diseño VLSI analógico

✖La movilidad en MOSFET se define en función de la capacidad de un electrón de moverse rápidamente a través de un metal o semiconductor, cuando es atraído por un campo eléctrico.ⓘ Movilidad en MOSFET [μ_eff]			+10% -10%
✖La capacitancia de la capa de óxido de puerta se define como la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.ⓘ Capacitancia de la capa de óxido de puerta [C_ox]			+10% -10%

✖K Prime es la constante de velocidad inversa de la reacción.ⓘ K-Prime [K_p]

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K-Prime Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

k primer = Movilidad en MOSFET*Capacitancia de la capa de óxido de puerta
K_p = μ_eff*C_ox
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

k primer - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - K Prime es la constante de velocidad inversa de la reacción.
Movilidad en MOSFET - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad en MOSFET se define en función de la capacidad de un electrón de moverse rápidamente a través de un metal o semiconductor, cuando es atraído por un campo eléctrico.
Capacitancia de la capa de óxido de puerta - (Medido en Farad por metro cuadrado) - La capacitancia de la capa de óxido de puerta se define como la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Movilidad en MOSFET: 0.15 centímetro cuadrado por segundo voltio --> 1.5E-05 Metro cuadrado por voltio por segundo (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de la capa de óxido de puerta: 29.83 Microfaradio por milímetro cuadrado --> 29.83 Farad por metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

K_p = μ_eff*C_ox --> 1.5E-05*29.83

Evaluar ... ...

K_p = 0.00044745

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.00044745 Metro cuadrado por voltio por segundo -->4.4745 centímetro cuadrado por segundo voltio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

4.4745 centímetro cuadrado por segundo voltio <-- k primer

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Coeficiente de efecto corporal

LaTeX Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial

Carga de canal

LaTeX Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje crítico

LaTeX Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal

K-Prime Fórmula

LaTeX Vamos

k primer = Movilidad en MOSFET*Capacitancia de la capa de óxido de puerta
K_p = μ_eff*C_ox

¿Qué es un transistor?

En electrónica, un transistor es un dispositivo semiconductor comúnmente utilizado para amplificar o cambiar señales electrónicas. El transistor es el bloque de construcción fundamental de las computadoras y todos los demás dispositivos electrónicos modernos. Algunos transistores se empaquetan individualmente, pero la mayoría se encuentran en circuitos integrados.

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