Ancho de transición de unión Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Ancho de transición de unión = Penetración de carga tipo N*((Concentración del aceptor+Concentración de donantes)/Concentración del aceptor)
Wj = xno*((Na+Nd)/Na)
Esta fórmula usa 4 Variables
Variables utilizadas
Ancho de transición de unión - (Medido en Metro) - El ancho de transición de la unión se define como la región espacial sobre la cual el ancho de la unión cambia de un valor a otro.
Penetración de carga tipo N - (Medido en Metro) - El tipo N de penetración de carga se refiere al fenómeno en el que electrones adicionales de átomos dopantes, normalmente fósforo o arsénico, penetran en la red cristalina del material semiconductor.
Concentración del aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del aceptor es la concentración de un átomo aceptor o dopante que, cuando se sustituye en una red semiconductora, forma una región de tipo p.
Concentración de donantes - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración donante se refiere a la concentración o densidad de los átomos donantes en un material semiconductor.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Penetración de carga tipo N: 0.019 Micrómetro --> 1.9E-08 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Concentración del aceptor: 7.9E+35 1 por metro cúbico --> 7.9E+35 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración de donantes: 2.5E+35 1 por metro cúbico --> 2.5E+35 1 por metro cúbico No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Wj = xno*((Na+Nd)/Na) --> 1.9E-08*((7.9E+35+2.5E+35)/7.9E+35)
Evaluar ... ...
Wj = 2.50126582278481E-08
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
2.50126582278481E-08 Metro -->0.0250126582278481 Micrómetro (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
0.0250126582278481 0.025013 Micrómetro <-- Ancho de transición de unión
(Cálculo completado en 00.007 segundos)

Créditos

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Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
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Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
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Unión SSD Calculadoras

Capacitancia de unión
​ LaTeX ​ Vamos Capacitancia de unión = (Área de unión/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Compensación de longitud constante*Dopaje Concentración de Base)/(Voltaje de fuente-Voltaje de fuente 1))
Resistencia en serie en tipo P
​ LaTeX ​ Vamos Resistencia en serie en la unión P = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión N
Voltaje de unión
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de unión = Voltaje de fuente-(Resistencia en serie en la unión P+Resistencia en serie en la unión N)*Corriente eléctrica
Ancho tipo N
​ LaTeX ​ Vamos Penetración de carga tipo N = Cargo total del aceptador/(Área de unión*Concentración del aceptor*[Charge-e])

Ancho de transición de unión Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Ancho de transición de unión = Penetración de carga tipo N*((Concentración del aceptor+Concentración de donantes)/Concentración del aceptor)
Wj = xno*((Na+Nd)/Na)

¿Qué son las corrientes de difusión y deriva?

La corriente de deriva depende del campo eléctrico aplicado, si no hay campo eléctrico, no hay corriente de deriva. La corriente de difusión se produce aunque no se aplique un campo eléctrico al semiconductor.

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