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Calculadora Profundidad de unión después de VLSI de escala completa

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Optimización de materiales VLSI Diseño VLSI analógico

✖La profundidad de unión se define como la distancia desde la superficie de un material semiconductor hasta el punto donde se produce un cambio significativo en la concentración de átomos dopantes.ⓘ Profundidad de unión [x_j]			+10% -10%
✖El factor de escala se define como la relación por la cual las dimensiones del transistor cambian durante el proceso de diseño.ⓘ Factor de escala [Sf]			+10% -10%

✖La profundidad de unión después del escalado completo se define como la distancia desde la superficie hasta el punto donde se produce un cambio en la concentración de átomos dopantes después del escalado completo.ⓘ Profundidad de unión después de VLSI de escala completa [x_j']

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Profundidad de unión después de VLSI de escala completa Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Profundidad de unión después de la escala completa = Profundidad de unión/Factor de escala
x_j' = x_j/Sf
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Profundidad de unión después de la escala completa - (Medido en Metro) - La profundidad de unión después del escalado completo se define como la distancia desde la superficie hasta el punto donde se produce un cambio en la concentración de átomos dopantes después del escalado completo.
Profundidad de unión - (Medido en Metro) - La profundidad de unión se define como la distancia desde la superficie de un material semiconductor hasta el punto donde se produce un cambio significativo en la concentración de átomos dopantes.
Factor de escala - El factor de escala se define como la relación por la cual las dimensiones del transistor cambian durante el proceso de diseño.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Profundidad de unión: 2 Micrómetro --> 2E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)
Factor de escala: 1.5 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

x_j' = x_j/Sf --> 2E-06/1.5

Evaluar ... ...

x_j' = 1.33333333333333E-06

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.33333333333333E-06 Metro -->1.33333333333333 Micrómetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

1.33333333333333 ≈ 1.333333 Micrómetro <-- Profundidad de unión después de la escala completa

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Priyanka Patel

Facultad de ingeniería Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

¡Priyanka Patel ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Coeficiente de efecto corporal

LaTeX Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial

Carga de canal

LaTeX Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje crítico

LaTeX Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal

Profundidad de unión después de VLSI de escala completa Fórmula

LaTeX Vamos

Profundidad de unión después de la escala completa = Profundidad de unión/Factor de escala
x_j' = x_j/Sf

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